[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體集成電路裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780094261.6
• 申請(qǐng)日: 2017-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111033720B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤千夏;祖父江功彌;田中英俊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社索思未來(lái)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/822
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/822;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/092;H01L29/78
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 韓丁

ESD保護(hù)電路(101)具有包括第一導(dǎo)電型鰭片(16)的第一鰭片構(gòu)造部(11)和包括第二導(dǎo)電型鰭片(17)且與第一鰭片構(gòu)造部(11)對(duì)置的第二鰭片構(gòu)造部(12)。在第一布線層(M1)形成有與第一鰭片構(gòu)造部(11)相連接的第一電源布線(81)和與第二鰭片構(gòu)造部(12)相連接的信號(hào)布線(82)，在第二布線層(M2)形成有與第一電源布線(81)相連接的第二電源布線(6)。第二鰭片構(gòu)造部(12)占據(jù)的寬度比第一鰭片構(gòu)造部(11)占據(jù)的寬度大，信號(hào)布線(82)的寬度比第一電源布線(81)的寬度大。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使用鰭式FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管：Field Effect Transistor)或納米線FET的半導(dǎo)體集成電路裝置，特別是涉及用于保護(hù)電路免受靜電放電破壞的ESD(靜電放電：F1lectro Static Discharge)保護(hù)電路的布置結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

如圖14所示，ESD保護(hù)電路251、252一般分別設(shè)置于信號(hào)端子(輸入輸出端子)253與電源端子254之間，或者設(shè)置于信號(hào)端子253與接地端子255之間。ESD保護(hù)電路根據(jù)不同的用途使用各種不同的保護(hù)元件，因二極管的放電特性良好，故多使用二極管作為保護(hù)元件。

發(fā)明內(nèi)容

-發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題-

本發(fā)明的目的在于提供一種使用了具有良好的放電特性的二極管的ESD保護(hù)電路。

-用以解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案一

在本發(fā)明的第一方式中，半導(dǎo)體集成電路裝置包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括靜電放電保護(hù)電路。所述靜電放電保護(hù)電路包括第一鰭片構(gòu)造部、第二鰭片構(gòu)造部、電源供給用第一電源布線、信號(hào)傳輸用第一信號(hào)布線以及電源供給用第二電源布線。所述第一鰭片構(gòu)造部包括多個(gè)沿第一方向延伸并沿著與所述第一方向垂直的第二方向排列的第一導(dǎo)電型鰭片；所述第二鰭片構(gòu)造部包括多個(gè)沿所述第一方向延伸并沿著所述第二方向排列的第二導(dǎo)電型鰭片，在所述第二方向上與所述第一鰭片構(gòu)造部對(duì)置；所述電源供給用第一電源布線形成在位于所述第一鰭片構(gòu)造部和所述第二鰭片構(gòu)造部的上層的第一布線層，沿第三方向延伸，與所述第一鰭片構(gòu)造部相連接；所述信號(hào)傳輸用第一信號(hào)布線形成在所述第一布線層，沿所述第三方向延伸，與所述第二鰭片構(gòu)造部相連接；所述電源供給用第二電源布線形成在所述第一布線層的上層的第二布線層，沿與所述第三方向垂直的第四方向延伸，與所述第一電源布線相連接；在所述第二方向上，所述第二鰭片構(gòu)造部所占據(jù)的寬度比所述第一鰭片構(gòu)造部所占據(jù)的寬度大；在所述第四方向上，所述第一信號(hào)布線的寬度比所述第一電源布線的寬度大。

根據(jù)該方式，包括鰭式FET的半導(dǎo)體集成電路裝置還包括ESD保護(hù)電路，該ESD保護(hù)電路包括第一鰭片構(gòu)造部和第二鰭片構(gòu)造部，該第一鰭片構(gòu)造部包括多個(gè)沿第一方向延伸并沿著第二方向排列的第一導(dǎo)電型鰭片，所述第二鰭片構(gòu)造部包括多個(gè)沿第一方向延伸并沿著第二方向排列的第二導(dǎo)電型鰭片。第一鰭片構(gòu)造部與第一電源布線和第二電源布線相連接，第二鰭片構(gòu)造部與第一信號(hào)布線相連接。第一鰭片構(gòu)造部和第二鰭片構(gòu)造部在第二方向上對(duì)置。而且，第二鰭片構(gòu)造部占據(jù)的寬度比第一鰭片構(gòu)造部占據(jù)的寬度大，第一信號(hào)布線的寬度比第一電源布線的寬度大。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在發(fā)生ESD事件時(shí)，能夠使大電流迅速地流到二極管，因此能夠有效地抑制內(nèi)部電路遭受破壞。