[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780094261.6
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN111033720B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊藤千夏;祖父江功彌;田中英俊
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社索思未來
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/092;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓丁

1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，包括鰭式場效應(yīng)晶體管，還包括靜電放電保護電路，其特征在于：

所述靜電放電保護電路包括第一鰭片構(gòu)造部、第二鰭片構(gòu)造部、電源供給用第一電源布線、信號傳輸用第一信號布線以及電源供給用第二電源布線，

所述第一鰭片構(gòu)造部包括多個沿第一方向延伸并沿著與所述第一方向垂直的第二方向排列的第一導(dǎo)電型鰭片，

所述第二鰭片構(gòu)造部包括多個沿所述第一方向延伸并沿著所述第二方向排列的第二導(dǎo)電型鰭片，且在所述第二方向上與所述第一鰭片構(gòu)造部對置，

所述電源供給用第一電源布線形成在位于所述第一鰭片構(gòu)造部和所述第二鰭片構(gòu)造部的上層的第一布線層，沿第三方向延伸，與所述第一鰭片構(gòu)造部相連接，

所述信號傳輸用第一信號布線形成在所述第一布線層，沿所述第三方向延伸，與所述第二鰭片構(gòu)造部相連接，

所述電源供給用第二電源布線形成在所述第一布線層的上層的第二布線層，沿與所述第三方向垂直的第四方向延伸，與所述第一電源布線相連接，

在所述第二方向上，所述第二鰭片構(gòu)造部所占據(jù)的寬度比所述第一鰭片構(gòu)造部所占據(jù)的寬度大，

在所述第四方向上，所述第一信號布線的寬度比所述第一電源布線的寬度大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于：

所述第三方向與所述第一方向相同，所述第四方向與所述第二方向相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于：

所述第三方向與所述第二方向相同，所述第四方向與所述第一方向相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于：

所述第二鰭片構(gòu)造部的鰭片的個數(shù)比所述第一鰭片構(gòu)造部的鰭片的個數(shù)多。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于：

所述第一鰭片構(gòu)造部和所述第二鰭片構(gòu)造部分別包括在鰭片上以沿所述第二方向延伸的方式形成的柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于：

所述第二鰭片構(gòu)造部的柵極處于浮置狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于：

所述靜電放電保護電路包括第三鰭片構(gòu)造部，

所述第三鰭片構(gòu)造部配置在所述第二鰭片構(gòu)造部的所述第一方向的至少任一端，且包括多個沿所述第一方向延伸并沿著所述第二方向排列的所述第一導(dǎo)電型鰭片，

電源電壓經(jīng)由所述第一電源布線和第二電源布線供給所述第三鰭片構(gòu)造部。

8.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，包括納米線場效應(yīng)晶體管，還包括靜電放電保護電路，其特征在于：

所述靜電放電保護電路包括第一焊盤構(gòu)造部、第二焊盤構(gòu)造部、電源供給用第一電源布線、信號傳輸用第一信號布線以及電源供給用第二電源布線，

所述第一焊盤構(gòu)造部包括沿第一方向延伸并沿著與所述第一方向垂直的第二方向排列有多列的第一導(dǎo)電型焊盤，

所述第二焊盤構(gòu)造部包括沿所述第一方向延伸并沿著所述第二方向排列有多列的第二導(dǎo)電型焊盤，在所述第二方向上所述第二焊盤構(gòu)造部與所述第一焊盤構(gòu)造部對置，

所述電源供給用第一電源布線形成在位于所述第一焊盤構(gòu)造部和第二焊盤構(gòu)造部的上層的第一布線層，沿第三方向延伸，與所述第一焊盤構(gòu)造部相連接，

所述信號傳輸用第一信號布線形成在所述第一布線層，沿所述第三方向延伸，與所述第二焊盤構(gòu)造部相連接，

所述電源供給用第二電源布線形成在所述第一布線層的上層的第二布線層，沿與所述第三方向垂直的第四方向延伸，與所述第一電源布線相連接，

在所述第二方向上，所述第二焊盤構(gòu)造部占據(jù)的寬度比所述第一焊盤構(gòu)造部占據(jù)的寬度大，

在所述第四方向上，所述第一信號布線的寬度比所述第一電源布線的寬度大。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于：

所述第三方向與所述第一方向相同，所述第四方向與所述第二方向相同。