[發(fā)明專利]平面微波諧振器電路的微制造的空氣橋在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780094198.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111066150A | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V·阿迪加;M·布林克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/76 | 分類號(hào): | H01L29/76 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 劉都;于靜 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 平面 微波 諧振器 電路 制造 空氣 | ||
一種用于平面微波諧振器電路的微型空氣橋的制造方法,包括在基礎(chǔ)材料表面上沉積超導(dǎo)膜,其中超導(dǎo)膜形成有壓縮應(yīng)力,其中壓縮應(yīng)力高于定義結(jié)構(gòu)的臨界彎曲應(yīng)力,蝕刻超導(dǎo)膜的暴露區(qū)域,從而形成至少一個(gè)橋,蝕刻基礎(chǔ)材料,從而在至少一個(gè)橋和基礎(chǔ)材料之間形成間隙,在超導(dǎo)膜的至少一部分和基礎(chǔ)材料的至少一部分上沉積至少一條金屬線。其中,至少一條金屬線在橋下面延伸。
背景技術(shù)
本發(fā)明總體上涉及集成電路芯片,并且更具體地,涉及用于平面微波諧振器電路的微制造的空氣橋。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了用于平面微波諧振器電路的微制造的空氣橋的工藝和結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中,該工藝包括在基礎(chǔ)材料的表面上沉積超導(dǎo)膜,其中該超導(dǎo)膜形成有壓縮應(yīng)力,其中該壓縮應(yīng)力高于限定結(jié)構(gòu)的臨界彎曲應(yīng)力,在超導(dǎo)膜上形成第一光刻膠圖案,其中光刻膠圖案限定了至少一個(gè)橋,蝕刻了超導(dǎo)膜的暴露區(qū)域,從而形成了至少一個(gè)橋,蝕刻基礎(chǔ)材料,從而在至少一個(gè)橋與基底材料之間形成了間隙,在基礎(chǔ)材料的至少限定的表面上形成第二光刻膠圖案,其中第二光刻膠圖案限定用于至少一條金屬線的空間,清潔超導(dǎo)膜的至少一部分表面,并在超導(dǎo)膜的至少一部分和基礎(chǔ)材料的至少一部分上沉積至少一條金屬線,其中至少一條金屬線連接超導(dǎo)膜的第一部分和超導(dǎo)膜的第二部分,其中至少一條金屬線在橋下面延伸,以及去除第二光刻膠圖案。
在替代實(shí)施例中,該工藝包括在基礎(chǔ)材料的表面上沉積第一超導(dǎo)膜,在第一超導(dǎo)膜的表面上沉積第二超導(dǎo)膜,其中第二超導(dǎo)膜形成為具有壓縮應(yīng)力,其中壓縮應(yīng)力高于限定結(jié)構(gòu)的臨界彎曲應(yīng)力,在第二超導(dǎo)膜上形成第一光刻膠圖案,其中光刻膠圖案限定至少一個(gè)橋,蝕刻第二超導(dǎo)膜的暴露區(qū)域,從而形成至少一個(gè)橋,蝕刻第一超導(dǎo)膜,從而在至少一個(gè)橋和基礎(chǔ)材料之間形成間隙,在基礎(chǔ)材料的至少限定表面上形成第二光刻膠圖案,其中第二光刻膠圖案限定用于至少一條金屬線的空間,清潔第二超導(dǎo)膜的至少一部分表面,在第二超導(dǎo)膜的至少一部分和基礎(chǔ)材料的至少一部分上沉積所述至少一條金屬線,其中至少一條金屬線連接第二超導(dǎo)膜的第一部分和第二超導(dǎo)膜的第二部分,其中至少一條金屬線在橋下面延伸,以及去除第二光刻膠圖案。
在一個(gè)實(shí)施例中,該結(jié)構(gòu)包括:基礎(chǔ)材料;在基礎(chǔ)材料上形成具有壓縮應(yīng)力的第一金屬層;以及在第一層上形成的一層或多層金屬,其中一個(gè)或多層具有與第一層的壓縮應(yīng)力不同的壓縮應(yīng)力。在一個(gè)實(shí)施例中,第一層和一個(gè)或多個(gè)層包括超導(dǎo)材料。
在替代實(shí)施例中,該結(jié)構(gòu)包括基礎(chǔ)材料,在基礎(chǔ)材料上的薄膜,在薄膜的第一部分和薄膜的第二部分之間的,其中薄膜被部分去除的區(qū)域,以及在第一部分和第二部分之間的薄膜橋,其中橋,第一部分和第二部分包括整體結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中,該結(jié)構(gòu)還包括在第一部分和第二部分之間且未連接到第一部分和第二部分的薄膜的第三部分,在第一部分和第二部分之間的并且未連接第一部分和第二部分薄膜的第四部分,以及在薄膜橋下面延伸并且將第三部分連接到第二部分的金屬線。
在一個(gè)實(shí)施例中,該結(jié)構(gòu)包括在基礎(chǔ)材料上的第一金屬區(qū)域,在基礎(chǔ)材料上的第二金屬區(qū)域,連接第一金屬區(qū)域和第二區(qū)域的橋,其中第一金屬區(qū)域、第二金屬區(qū)域,以及橋包括整體結(jié)構(gòu),在基礎(chǔ)材料上的第一金屬區(qū)域與基礎(chǔ)材料上的第二金屬區(qū)域之間的第一金屬線,在基礎(chǔ)材料上的第一金屬區(qū)域與第二金屬區(qū)域之間的第二金屬線,以及在基礎(chǔ)材料上的第一金屬區(qū)域和在基礎(chǔ)材料上的第二金屬區(qū)域之間的第三金屬線,其中第三金屬線連接第一金屬線和第二金屬線。在進(jìn)一步的實(shí)施例中,第一金屬線和第二金屬線包括相同的材料,并且第三金屬線包括與第一金屬線和第二金屬線的材料不同的材料。
附圖說明
圖1A描繪了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖;
圖1B描繪了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖;
圖1C描繪了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖;
圖1D描繪了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖;
圖1E描繪了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖;
圖1F描繪了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





