[發明專利]平面微波諧振器電路的微制造的空氣橋

在審

• 申請號: 201780094198.6
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN111066150A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: V·阿迪加;M·布林克
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/76
• 分類號: H01L29/76
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉都;于靜

1.一種工藝，包括：

在基礎材料的表面上沉積超導膜，

其中，所述超導膜形成有壓縮應力，

其中所述壓縮應力高于限定結構的臨界彎曲應力；

在所述超導膜上形成第一光刻膠圖案，

其中，所述光刻膠圖案限定至少一個橋；

蝕刻所述超導膜的暴露區域，從而形成所述至少一個橋；

蝕刻所述基礎材料，從而在所述至少一個橋和所述基礎材料之間形成間隙；

在所述基礎材料的至少限定的表面上形成第二光刻膠圖案，

其中所述第二光刻膠圖案限定用于至少一條金屬線的空間；

清潔所述超導膜的至少一部分表面；

在所述超導膜的至少一部分和所述基礎材料的至少一部分上沉積所述至少一條金屬線，

其中所述至少一條金屬線連接所述超導膜的第一部分和所述超導膜的第二部分，

其中所述至少一條金屬線在所述橋下延伸；以及

去除所述第二光刻膠圖案。

2.一種工藝，包括：

在基礎材料的表面上沉積第一超導膜；

在所述第一超導膜的表面上沉積第二超導膜，

其中所述第二超導膜形成有壓縮應力，

其中所述壓縮應力高于限定結構的臨界彎曲應力；

在所述第二超導膜上形成第一光刻膠圖案，

其中，所述光刻膠圖案限定至少一個橋；

蝕刻所述第二超導膜的暴露區域，從而形成所述至少一個橋；

蝕刻所述第一超導膜，從而在所述至少一個橋與所述基礎材料之間形成間隙；

在所述基礎材料的至少限定的表面上形成第二光刻膠圖案，

其中所述第二光刻膠圖案限定用于至少一條金屬線的空間；

清潔所述第二超導膜的至少一部分表面；

在所述第二超導膜的至少一部分和所述基礎材料的至少一部分上沉積所述至少一條金屬線，

其中所述至少一條金屬線連接所述第二超導膜的第一部分和所述第二超導膜的第二部分，

其中所述至少一條金屬線在所述橋下延伸；以及

去除所述第二光刻膠圖案。

3.如權利要求1或2所述的方法，其進一步包括將所述至少一個橋拉離所述基礎材料。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述拉離包括通過使用靜電力將所述至少一個橋拉離所述基礎材料。

5.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述沉積所述至少一條金屬線是通過蒸發進行的。

6.如權利要求1或2所述的方法，

其中第一光刻膠圖案限定一組一個或多個孔，

其中，設置該組一個或多個孔的尺寸，以使得可以通過所述一個或多個孔蝕刻所述基礎材料，以及

其中設置該組一個或多個孔的尺寸使得不能通過該組一個或多個孔沉積金屬。

7.如權利要求1或2所述的方法，

其中所述第一光刻膠圖案限定一組一個或多個孔，

其中，設置所述該組一個或多個孔的大小，以使可以通過該組一個或多個孔沉積金屬。

8.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述基礎材料是硅。

9.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述超導膜包括選自鋁和鈮的組的材料。

10.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述至少一條金屬線是鋁。

11.一種結構，包括：

基礎材料；

在所述基體材料上形成具有壓縮應力的第一金屬層；以及

在所述第一層上形成的一層或多層金屬，

其中所述一個或多層的壓縮應力大于所述第一層的壓縮應力。

12.如權利要求11所述的結構，其中，所述一個或多個層中的每個層的壓縮應力不同于所述第一層和所述一個或多個層中的先前層的壓縮應力。