[發明專利]可移動掩蔽元件在審
| 申請號: | 201780092451.4 | 申請日: | 2017-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN110785512A | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發明(設計)人: | 拉爾夫·林登貝格;于爾根·格里爾邁爾;嶺·燦;約翰·M·懷特;馬庫斯·哈尼卡 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/54;C23C16/04 |
| 代理公司: | 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩蔽元件 沉積設備 沉積材料 沉積源 掩蔽 基板邊緣區域 基板接收 上移動 延伸 積累 | ||
提供了一種沉積設備。沉積設備包括第一沉積源和第二沉積源,經構造為用于在基板接收面積中沉積材料。沉積設備包括掩蔽元件。掩蔽元件經構造為用于掩蔽在第一方向上延伸的基板邊緣區域。掩蔽元件經構造以在至少第一方向上移動以補償沉積材料在掩蔽元件上的積累。
技術領域
本文描述的實施方式涉及一種用于在基板上沉積材料的沉積設備,更具體地涉及一種包括用于掩蔽基板的邊緣區域的掩蔽元件的沉積設備。
背景技術
已知用于在基板上沉積材料的數種方法。例如,基板可通過物理氣相沉積(PVD)工藝、化學氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝等等涂覆。通常,所述工藝在處理設備或處理腔室中執行,待涂覆的基板位于所述處理設備或處理腔室中。在設備中提供沉積材料。在執行PVD工藝的情況下,例如,沉積材料可能處于氣相。多種材料可用于沉積在基板上。其中,可以使用許多不同的金屬,但也可使用氧化物、氮化物或碳化物。通常,PVD工藝適用于薄膜涂層。
所涂覆材料可在數個應用和數個技術領域中使用。例如,應用于微電子領域中,諸如生產半導體裝置。此外,用于顯示器的基板經常通過PVD工藝涂覆。另外的應用包括絕緣面板、有機發光二極管(OLED)面板,但也包括硬盤、CD、DVD和類似物。
在涂覆工藝中,使用掩模可以是有用的,例如,為了更好地限定待涂覆的面積。在一些應用中,僅應當涂覆基板的部分,且由掩模覆蓋未被涂覆的部分。在一些應用中,諸如在大面積基板涂覆設備中,期望不涂覆基板的邊緣。排除邊緣后,可能提供無涂層的基板邊緣,并且防止涂覆基板的背側。
然而,由于掩模定位在基板前方,在材料沉積工藝中的掩模也暴露于沉積材料。因此,在處理期間沉積材料在掩模表面上積累。由于在掩模上沉積的材料,這可以導致修改的掩模形狀。例如,隨著沉積材料層在掩模上生長,可減小掩模孔的周邊或邊界。經常,對掩模執行清潔程序,用于確保由掩模覆蓋的面積的精確尺寸。這個清潔程序打斷材料沉積工藝并且由此是時間及成本密集的。
鑒于上述,本公開內容的目的在于提供克服本領域中的至少一些問題的沉積設備和沉積方法。
發明內容
根據實施方式,提供了一種沉積設備。沉積設備包括第一沉積源和第二沉積源,經構造為用于在基板接收面積中沉積材料。沉積設備包括掩蔽元件。掩蔽元件經構造為用于掩蔽在第一方向上延伸的基板邊緣區域。掩蔽元件經構造以在至少第一方向上移動以補償沉積材料在掩蔽元件上的積累。
根據另一實施方式,提供了一種沉積方法。沉積方法包括使用第一沉積源和第二沉積源在基板上沉積材料。基板包含在第一方向上延伸的基板邊緣區域。沉積方法包括使用在第一位置中布置的掩蔽元件掩蔽基板邊緣區域。沉積方法包括使掩蔽元件從第一位置移動到第二位置以補償沉積材料在掩蔽元件上的積累,其中第二位置在第一方向上距第一位置達一定距離處。
附圖說明
對本領域普通技術人員充分且有利的公開在說明書的剩余部分中更具體地闡述,包括參考附圖,其中:
圖1a至圖1c圖示了根據本文描述的實施方式的沉積設備;
圖2a至圖2b示出了根據本文描述的實施方式的經構造以移動的掩蔽元件;
圖3a至圖3d示出了根據本文描述的實施方式的經構造以移動的掩蔽元件;
圖4a至圖4b示出了根據本文描述的實施方式的經構造以移動的掩蔽元件;
圖5a至圖5b圖示了根據本文描述的實施方式的包括多個沉積源的沉積設備。
具體實施方式
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