[發(fā)明專利]可移動(dòng)掩蔽元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780092451.4 | 申請日： | 2017-06-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110785512A | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 拉爾夫·林登貝格;于爾根·格里爾邁爾;嶺·燦;約翰·M·懷特;馬庫斯·哈尼卡 | 申請（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/04 | 分類號(hào)： | C23C14/04;C23C14/54;C23C16/04 |
| 代理公司： | 11006 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 掩蔽元件 沉積設(shè)備 沉積材料 沉積源 掩蔽 基板邊緣區(qū)域 基板接收 上移動(dòng) 延伸 積累 | ||
1.一種沉積設(shè)備(100)，包含：
第一沉積源(110)和第二沉積源(120)，經(jīng)構(gòu)造為用于在基板接收面積中沉積材料；以及
掩蔽元件(150)，
其中所述掩蔽元件經(jīng)構(gòu)造為用于掩蔽在第一方向(102)上延伸的基板邊緣區(qū)域(162)，并且
其中所述掩蔽元件經(jīng)構(gòu)造以在至少所述第一方向上移動(dòng)以補(bǔ)償沉積材料在所述掩蔽元件上的積累。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其中所述第一沉積源在距所述第二沉積源達(dá)第一距離(350)處布置，其中所述掩蔽元件經(jīng)構(gòu)造以在所述第一方向上移動(dòng)達(dá)第二距離(220)以補(bǔ)償沉積材料在所述掩蔽元件上的積累，其中所述第二距離是所述第一距離的從30％至70％。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備進(jìn)一步包含一或多個(gè)致動(dòng)器(410)，用于在至少所述第一方向上移動(dòng)所述掩蔽元件。
4.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的沉積設(shè)備，其中所述掩蔽元件是與在所述第一方向上延伸的所述基板接收面積的邊緣重疊的伸長元件，并且其中所述沉積設(shè)備包含一或多個(gè)致動(dòng)器(410)，所述一或多個(gè)致動(dòng)器(410)連接到所述伸長元件，用于在至少所述第一方向上移動(dòng)所述伸長元件。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備進(jìn)一步包含控制單元，用于取決于在所述掩蔽元件上沉積的所述沉積材料的特性來控制所述掩蔽元件在所述第一方向上的所述移動(dòng)。
6.如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的沉積設(shè)備，其中所述第一沉積源和所述第二沉積源在第二方向上延伸，特別地其中所述第二方向基本上與所述第一方向垂直。
7.如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的沉積設(shè)備，其中所述第一沉積源和所述第二沉積源各自包括可旋轉(zhuǎn)靶，所述可旋轉(zhuǎn)靶具有在第二方向(104)上延伸的旋轉(zhuǎn)軸(112、122)，特別地其中所述第二方向基本上與所述第一方向垂直。
8.如權(quán)利要求6或權(quán)利要求7所述的沉積設(shè)備，其中所述掩蔽元件經(jīng)構(gòu)造以在至少所述第二方向上移動(dòng)以補(bǔ)償沉積材料在所述掩蔽元件上的積累。
9.如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備包含沉積源(110、120、530、540、550、560)的陣列，在所述陣列的相鄰沉積源之間具有間距(510)，其中所述掩蔽元件經(jīng)構(gòu)造以從第一位置(202)移動(dòng)到第二位置(204)，其中在所述第一方向上從所述第一位置到所述第二位置的距離(220)是所述間距的從30％至70％。
10.一種沉積方法，包含：
使用第一沉積源(110)和第二沉積源(120)在基板(160)上沉積材料，其中所述基板包含在第一方向(102)上延伸的基板邊緣區(qū)域(162)；
使用在第一位置(202)中布置的掩蔽元件(150)來掩蔽所述基板邊緣區(qū)域；以及
使所述掩蔽元件從所述第一位置移動(dòng)到第二位置(204)以補(bǔ)償沉積材料在所述掩蔽元件上的積累，其中所述第二位置在所述第一方向上距所述第一位置達(dá)距離(220)。
11.如權(quán)利要求10所述的沉積方法，其中所述第一沉積源在距所述第二沉積源達(dá)第一距離(350)處布置，其中所述掩蔽元件在所述第一方向上從所述第一位置移動(dòng)到所述第二位置達(dá)第二距離(220)，其中所述第二距離是所述第一距離的從30％至70％。
12.如權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的沉積方法，其中所述掩蔽元件從所述第一位置移動(dòng)到所述第二位置以補(bǔ)償在所述掩蔽元件上沉積的材料的沉積輪廓，其中所述沉積輪廓包括一或多個(gè)峰(310、320)和一或多個(gè)谷(330)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
