[發(fā)明專利]薄膜電容器構(gòu)造及具備該薄膜電容器構(gòu)造的半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780089382.1
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN110494973A
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發(fā)明（設計）人: 小山田成圣
• 申請（專利權(quán)）人: 野田士克林股份有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/32
• 代理公司: 11219 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 高培培;趙晶<國際申請>=PCT/JP2

1.一種薄膜電容器構(gòu)造，是與在電極墊面呈面陣狀地配置有多個電極墊的面陣式集成電路的所述電極墊面接合的薄膜電容器構(gòu)造，所述多個電極墊包括電源墊、接地墊及信號墊，

該薄膜電容器構(gòu)造具備：

薄膜電容器，包括第一薄板電極、第二薄板電極及形成于所述第一薄板電極與所述第二薄板電極之間的薄膜電介質(zhì)層；

第一絕緣膜，將所述第一薄板電極絕緣；

第二絕緣膜，將所述第二薄板電極絕緣；及

多個貫通孔，從所述第一絕緣膜經(jīng)由所述薄膜電容器貫通到所述第二絕緣膜，形成在與所述多個電極墊對應的位置，包括形成于與所述電源墊對應的位置的電源用貫通孔、形成于與所述接地墊對應的位置的接地用貫通孔及形成于與所述信號墊對應的位置的信號用貫通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電容器構(gòu)造，其中，

所述第一薄板電極包括：

第一伸出部，伸出到所述接地用貫通孔內(nèi)；

第一開口部，形成于與所述電源墊及所述信號墊對應的位置；及

接地墊用開口部，形成于與所述接地墊對應的位置，具有在周邊形成所述第一伸出部的平面形狀，

所述第二薄板電極包括：

第二伸出部，伸出到所述電源用貫通孔內(nèi)；

第二開口部，形成于與所述接地墊及所述信號墊對應的位置；及

電源墊用開口部，形成于與所述電源墊對應的位置，具有在周邊形成所述第二伸出部的平面形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜電容器構(gòu)造，其中，

所述薄膜電介質(zhì)層包括電介質(zhì)開口部，該電介質(zhì)開口部形成于與所述多個電極墊對應的位置，具有比所述第一開口部及所述第二開口部的開口面積小的開口面積，

所述第一絕緣膜包括形成于與所述多個電極墊對應的位置的第一絕緣膜開口部，

所述第二絕緣膜包括形成于與所述多個電極墊對應的位置的第二絕緣膜開口部，

所述電源用貫通孔由第一絕緣膜開口部、所述電介質(zhì)開口部、所述電源墊用開口部及所述第二絕緣膜開口部構(gòu)成，

所述接地用貫通孔由第一絕緣膜開口部、所述接地墊用開口部及所述第二絕緣膜開口部構(gòu)成，

所述信號用貫通孔由第一絕緣膜開口部、所述電介質(zhì)開口部及所述第二絕緣膜開口部構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜電容器構(gòu)造，其中，

所述第一開口部、所述第二開口部及所述電介質(zhì)開口部在俯視下具有正方形的形狀，

所述電源墊用開口部及所述接地墊用開口部在俯視下具有十字狀的形狀。

5.一種半導體裝置，具備：

面陣式集成電路；

權(quán)利要求1～4中任一項所述的薄膜電容器構(gòu)造，與所述面陣式集成電路的電極墊面接合；及

導電材料，填充在所述電源用貫通孔、所述接地用貫通孔及所述信號用貫通孔中直至到達所述多個電極墊為止。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其中，

在所述導電材料的所述電極墊側(cè)的相反側(cè)設置有外部連接用的連接墊。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其中，

具備中間基板，該中間基板設置于所述薄膜電容器構(gòu)造的所述電極墊面?zhèn)鹊南喾磦?cè)，在與所述多個電極墊對應的位置具有多個中間基板墊。