[發明專利]可移動的邊緣環設計在審
| 申請號: | 201780089345.0 | 申請日: | 2017-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN110506326A | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發明(設計)人: | 希蘭·拉吉塔·拉斯那辛赫;喬恩·麥克切斯尼 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/683 |
| 代理公司: | 31263 上海勝康律師事務所 | 代理人: | 李獻忠;張華<國際申請>=PCT/US2 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊緣環 環形凹槽 襯底支撐件 下表面 襯底處理系統 向上延伸 底部環 上表面 升降銷 配置 豎直 升高 | ||
1.一種邊緣環,其被配置為在襯底處理系統中經由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低,其中,所述邊緣環還被配置為在所述邊緣環的調整過程中與從襯底支撐件的底部環和/或中部環向上延伸的引導特征對接,所述邊緣環包括:
上表面;
環形內徑;
環形外徑;
下表面;以及
環形凹槽,其被布置在所述邊緣環的所述下表面中,以與所述引導特征對接,其中所述環形凹槽的壁是基本豎直的。
2.根據權利要求1所述的邊緣環,其中,所述邊緣環是“U”形的。
3.根據權利要求1所述的邊緣環,其中,所述凹槽的深度為所述邊緣環的厚度的至少50%。
4.根據權利要求1所述的邊緣環,其中,根據所述邊緣環的可調范圍來選擇所述凹槽的深度。
5.根據權利要求1所述的邊緣環,其中,所述凹槽的深度介于7.7mm與8.3mm之間。
6.根據權利要求1所述的邊緣環,其中,所述邊緣環的所述下表面上的第一拐角被倒角。
7.根據權利要求1所述的邊緣環,其中所述環形凹槽內的第一拐角被倒角。
8.根據權利要求1所述的邊緣環,其中,所述邊緣環的外徑的上部拐角被倒角。
9.根據權利要求1所述的襯底支撐件,其中,所述邊緣環的所述下表面包括至少四個方向變化。
10.根據權利要求1所述的襯底支撐件,其中,所述邊緣環的所述下表面包括至少五個交替的豎直和水平路徑。
11.根據權利要求1所述的襯底支撐件,其中,所述邊緣環的所述下表面上的第一拐角被倒角。
12.根據權利要求1所述的襯底支撐件,其中所述環形凹槽內的第一拐角被倒角。
13.根據權利要求1所述的襯底支撐件,其中,所述邊緣環的外徑小于約12.883英寸,并且所述邊緣環的所述環形內徑大于約11.6英寸。
14.根據權利要求1所述的襯底支撐件,其中,所述邊緣環在所述環形內徑處的厚度介于約0.459英寸和約0.592英寸之間。
15.一種邊緣環,其被配置為在襯底處理系統中經由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低,所述邊緣環包括:
上表面;
環形內徑;
環形外徑;和
下表面,
其中,所述邊緣環的在所述上表面和所述外徑之間的界面處的上部外側拐角被倒角。
16.根據權利要求15所述的邊緣環,其中,所述倒角的上部拐角具有約0.060英寸的高度,約0.040英寸的寬度和約30°的角度。
17.根據權利要求15所述的邊緣環,其中,所述邊緣環的在所述下表面和所述內徑之間的界面處的下部內側拐角被倒角。
18.根據權利要求17所述的邊緣環,其中所述倒角的下部拐角具有約0.015英寸的高度,約0.015英寸的寬度和約30°的角度。
19.根據權利要求17所述的邊緣環,其中,所述倒角的下部拐角具有約0.025英寸的高度,約0.015英寸的寬度以及約60度的角度。
20.根據權利要求15所述的邊緣環,其中,所述邊緣環的所述環形外徑小于約12.883英寸,并且所述邊緣環的所述環形內徑大于約11.6英寸。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





