[發明專利]可移動的邊緣環設計

在審

• 申請號: 201780089345.0
• 申請日: 2017-07-24
• 公開（公告）號: CN110506326A
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 希蘭·拉吉塔·拉斯那辛赫;喬恩·麥克切斯尼
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/683
• 代理公司: 31263 上海勝康律師事務所
• 代理人: 李獻忠;張華<國際申請>=PCT/US2

一種邊緣環被配置為在襯底處理系統中經由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低。所述邊緣環還被配置為在所述邊緣環的調整過程中與從襯底支撐件的底部環和/或中部環向上延伸的引導特征對接。所述邊緣環包括：上表面；環形內徑；環形外徑；下表面；以及環形凹槽，所述環形凹槽被布置在所述邊緣環的所述下表面中，以與所述引導特征對接。所述環形凹槽的壁是基本豎直的。

技術領域

本公開涉及襯底處理系統中的可移動的邊緣環。

背景技術

這里提供的背景描述是為了總體呈現本公開的背景的目的。在此背景技術部分以及在提交申請時不能確定為現有技術的描述的各方面中描述的范圍內的當前指定的發明人的工作既不明確也不暗示地承認是針對本公開的現有技術。

襯底處理系統可用于處理諸如半導體晶片之類的襯底。可以在襯底上執行的示例性處理包括但不限于化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、導體蝕刻和/或其他蝕刻、沉積或清潔工藝。襯底可以布置在襯底處理系統的處理室中的襯底支撐件上，襯底支撐件例如基座、靜電卡盤(ESC)等。在蝕刻期間，可以將包括一種或多種前體的氣體混合物引入處理室，并且可以使用等離子體來引發化學反應。

襯底支撐件可包括布置成支撐晶片的陶瓷層。例如，晶片可以在處理期間被夾持到陶瓷層上。襯底支撐件可包括圍繞襯底支撐件的外部部分(例如，周邊的外部和/或鄰近周邊)布置的邊緣環。可以提供邊緣環以將等離子體約束在襯底上方的體積中，保護襯底支撐件免受等離子體引起的侵蝕等。

發明內容

一種邊緣環被配置為在襯底處理系統中經由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低。所述邊緣環還被配置為在所述邊緣環的調整過程中與從襯底支撐件的底部環和/或中部環向上延伸的引導特征對接。所述邊緣環包括：上表面；環形內徑；環形外徑；下表面；以及環形凹槽，所述環形凹槽被布置在所述邊緣環的所述下表面中，以與所述引導特征對接。所述環形凹槽的壁是基本豎直的。

一種邊緣環被配置為在襯底處理系統中經由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低。所述邊緣環包括：上表面；環形內徑；環形外徑；和下表面。所述邊緣環的在所述上表面和所述外徑之間的界面處的上部外側拐角被倒角。

根據詳細描述、權利要求和附圖，本公開內容的適用性的進一步的范圍將變得顯而易見。詳細描述和具體示例僅用于說明的目的，并非意在限制本公開的范圍。

附圖說明

根據詳細描述和附圖將更充分地理解本公開，其中：

圖1是根據本公開的示例性處理室的功能框圖；

圖2A示出了根據本公開的處于降低的位置的示例性可移動邊緣環；

圖2B示出了根據本公開的處于升高的位置的示例性可移動邊緣環；

圖3A示出了根據本公開的包括可移動邊緣環的第一示例性襯底支撐件；

圖3B示出了根據本公開的包括可移動邊緣環的第二示例性襯底支撐件；

圖4A示出了根據本公開的包括可移動邊緣環的第三示例性襯底支撐件；

圖4B示出了根據本公開的包括可移動邊緣環的第四示例性襯底支撐件；

圖4C示出了根據本公開的包括可移動邊緣環的第五示例性襯底支撐件；

圖5A示出了根據本公開的包括可移動邊緣環的第六示例性襯底支撐件；

圖5B示出了根據本公開的包括可移動邊緣環的第七示例性襯底支撐件；

圖6A示出了根據本公開的襯底支撐件的示例性底部環的仰視圖；以及

圖6B示出了根據本公開的襯底支撐件的底部環的時鐘狀特征；