[發明專利]半導體裝置的制造方法、程序以及基板處理裝置

在審

• 申請號: 201780088328.5
• 申請日: 2017-03-27
• 公開（公告）號: CN110431653A
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 竹島雄一郎;中山雅則;舟木克典;坪田康壽;井川博登
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/11551;H01L27/11578;H01J37/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

本申請提供一種技術，在半導體設備制造工序中，在對形成于縱橫比大的凹狀結構內面的膜從膜表面開始進行改性而形成改性層時，以使得凹狀結構的深度方向上的改性層厚度達到所希望的分布的方式來進行改性，提高設備電氣特性。具有將含有含氧氣體和含氫氣體的處理氣體激發以生成氧活性種和氫活性種的工序，以及將氧活性種和氫活性種供給至形成有凹狀結構的基板，對在凹狀結構的內面形成的膜從表面開始氧化而形成氧化層的工序；在形成氧化層的工序中，將供給至基板的氧活性種和氫活性種的總流量中的氫活性種的比率設定為比在凹狀結構的上端部形成氧化層的速度達到最大時的第一比率更大的預定比率，以在凹狀結構的內面的厚度比上端部的厚度更大的方式來形成。

技術領域

本發明涉及半導體裝置的制造方法、程序以及基板處理裝置。

背景技術

近年來，在形成閃存等半導體裝置的圖案時，作為制造工序的一個工序，有時會實施對基板進行氧化處理、氮化處理等預定的處理的工序。

專利文獻1中公開的構成具有：具備與等離子體生成空間連通的基板處理空間的基板處理室、配置在等離子體生成空間的外側的感應結合結構、設置在基板處理空間內且載置具有在表面形成了含硅層的槽的基板的基板載置臺以及具有向等離子體生成空間供給含氧氣體的氧氣體供給系統的氣體供給部。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-75579號公報

發明內容

發明要解決的課題

在半導體設備的制造工序中，對在縱橫比大的溝道結構、孔結構等凹狀結構內面形成的膜從膜表面開始進行改性而形成改性層時，有時會要求凹狀結構的深度方向上的改性層的厚度達到所希望的分布。

本發明提供一種技術，其在對在縱橫比大的凹狀結構內面形成的膜從膜表面開始進行改性而形成改性層時，以使得凹狀結構的深度方向上的改性層的厚度達到所希望的分布的方式進行改性，以提高設備的電氣特性的。

解決課題的方法

根據本發明的一個實施方式，提供一種技術，其具有：對含有含氧氣體和含氫氣體的處理氣體進行激發，生成氧活性種和氫活性種的工序，以及向形成有凹狀結構的基板供給上述氧活性種和上述氫活性種，對在上述凹狀結構的內面形成的膜從表面開始進行氧化而形成氧化層的工序；在上述的形成氧化層的工序中，將供給至上述基板的上述氧活性種和上述氫活性種的總流量中的上述氫活性種的比率設定為比在上述凹狀結構的上端部形成上述氧化層的速度為最大的第一比率更大的預定比率，以使得在上述凹狀結構的內面的厚度大于在上述上端部的厚度的方式來形成上述氧化層。

發明效果

根據本發明，提供對縱橫比大的凹狀結構內面形成的膜進行改性，使得在凹狀結構的深度方向上的改性層的厚度達到所希望的分布，從而提高設備的電氣特性的技術。

附圖說明

[圖1]是本發明的實施方式所涉及的基板處理裝置的截面圖。

[圖2]是說明本發明的實施方式所涉及的基板處理裝置的等離子體生成原理的說明圖。

[圖3]是說明本發明的實施方式所涉及的控制裝置的圖。

[圖4](A)是顯示本發明的實施方式所涉及的基板處理工序中被處理的形成有凹狀結構的基板的一例的圖，是顯示形成了溝道結構的基板的圖。(B)是顯示本發明的實施方式所涉及的基板處理工序中被處理的形成有凹狀結構的基板的一例的圖，是顯示形成了孔(孔穴)結構的基板的圖。

[圖5]是顯示圖4所示的基板的構成的一例的圖。

[圖6]是說明適用本發明的實施方式所涉及的基板處理工序的基板處理工序的圖。