[發明專利]半導體裝置的制造方法、程序以及基板處理裝置

在審

• 申請號: 201780088328.5
• 申請日: 2017-03-27
• 公開（公告）號: CN110431653A
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 竹島雄一郎;中山雅則;舟木克典;坪田康壽;井川博登
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/11551;H01L27/11578;H01J37/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

1.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

對含有含氧氣體和含氫氣體的處理氣體進行激發，生成氧活性種和氫活性種的工序，以及

將所述氧活性種和所述氫活性種供給至形成有凹狀結構的基板，對在所述凹狀結構的內面形成的膜從表面開始進行氧化而形成氧化層的工序；

在形成所述氧化層的工序中，使供給至所述基板的所述氧活性種和所述氫活性種的總流量中的所述氫活性種的比率為比在所述凹狀結構的上端部形成所述氧化層的速度達到最大時的第一比率更大的預定比率，以在所述凹狀結構的內面的厚度比所述上端部的厚度大的方式來形成所述氧化層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在形成所述氧化層的工序中，使供給至所述基板的所述氧活性種和所述氫活性種的總流量中的所述氫活性種的比率為比在所述凹狀結構的深度方向上的所述氧化層的厚度分布達到均勻時的第二比率更大的所述預定比率，以使得厚度向著所述凹狀結構的底面而增大且在所述底面處達到最大的方式來形成所述氧化層。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在形成所述氧化層的工序中，使供給至所述基板的所述氧活性種和所述氫活性種的總流量中的所述氫活性種的比率為與在所述凹狀結構的底面形成所述氧化層的速度達到最大時的第三比率相等或者比其更大的預定比率，以使得所述氧化層的厚度向著所述凹狀結構的底面增大且在所述底面處達到最大的方式來形成所述氧化層。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第三比率大于所述第一比率。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述生成氧活性種和氫活性種的工序中，所述處理氣體的總流量中的所述含氫氣體的流量比是使所生成的所述氫活性種的比率達到所述預定比率的比率。

6.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述生成氧活性種和氫活性種的工序中，所述處理氣體的總流量中的所述含氫氣體的流量比是使所生成的所述氫活性種的比率達到所述預定比率的比率。

7.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述流量比大于5％。

8.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述流量比大于5％且為20％以下。

9.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述生成氧活性種和氫活性種的工序之前，具有將所述基板搬入處理室內的工序，

在所述生成氧活性種和氫活性種的工序中，通過對供給至所述處理室內的所述處理氣體進行等離子體激發而生成所述氧活性種和所述氫活性種。

10.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述生成氧活性種和氫活性種的工序中，分別控制所述含氧氣體的供給系統和所述含氫氣體的供給系統來調整所述含氧氣體和所述含氫氣體的流量比。

11.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述凹狀結構的內面形成的膜包括因蝕刻處理而氧濃度下降的露出的層，所述凹狀結構的底部的所述露出的層中的氧濃度最低。

12.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述凹狀結構的內面形成的膜由以厚度向著所述凹狀結構的底面而變小的方式形成的氧化膜和所述氧化膜的基底膜構成。