[發明專利]防污膜在審
| 申請號: | 201780087978.8 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN110573649A | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 何偉祥;何畊緯 | 申請(專利權)人: | 德揚科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/54;C23C14/56 |
| 代理公司: | 11314 北京戈程知識產權代理有限公司 | 代理人: | 程偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;TW |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 使用壽命 防污膜 靶材 濺射 沉積 電解 蒸發 激光 制作 | ||
一種用于延長機器使用壽命的防污膜,其包含一個基板和一個在板上沉積的靶材?;宓闹谱鞣椒òR射、電解、蒸發和激光。
本申請主張新加坡專利申請第10201700127P號對應的優先權日期(其申請日為2017年1月6日,其名稱為“薄膜沉積系統與濺射工藝”)。優先權申請所有內容或相關主題完全或在適當情況下通過引用并入本申請中。
技術領域
本申請涉及一種薄膜沉積用防污膜,本申請亦涉及多種針對薄膜沉積而對防污膜進行制作、修改、安裝、組裝、維護、拆除、更換、回收利用和使用的方法。
背景技術
薄膜是一層厚度從幾分之一納米或單層到幾微米的片材。薄膜材料的可控合成是一種薄膜沉積工藝,其為許多生產過程的基本步驟。濺射沉積是一種薄膜沉積工藝,屬于一種濺射型的物理氣相沉積(Physical Vapour Deposition,PVD)方法,用以生產集成電路的電極與擴散阻擋層的薄膜、磁記錄介質用磁性薄膜以及液晶顯示器裝置用銦錫氧化物(indium-tin oxide,ITO)透明導電膜。
現有濺射沉積技術通常會導致所制得的膜上積聚粗大顆粒(通常稱為“顆粒”)的缺點。所述“顆粒”是一種在基板上積聚的微?;蚣毩!_@些顆粒通常會變成直徑達幾微米的尺寸,其會在例如大規模集成電路(Large-Scale Integration circuits,LSI)的基板上積聚造成互連短接、斷接或其他問題,導致不合格產品的比例增加。
顆粒主要是由薄膜沉積設備產生,大部分源自于沉積到基板周圍和薄膜沉積設備內壁(例如室壁)、擋板、護板和其他部件上后又剝離的薄膜。顆粒以破碎狀態四散再堆積在基板上,構成一種主要污染源。然而,薄膜沉積設備內壁實際上非常難以保持清潔。完全清潔內部通常需要較長時間,而且清潔工人(即清潔技術人員)有時根本無法接近薄膜沉積設備內壁和內部各裝置。為減少內壁粗顆粒數量,通常需要先使用如金屬噴涂的方式,對最容易受污染的內壁進行物理粗糙化,從而整體固定或捕集沉積物。此種方法要求對設備進行精心維護,而對沉積物的抗剝落效果仍然相當弱。為克服上述困難,人們開發了一次性箔形式的防污材料。此種方法認為,如果所述一次性箔貼附到內壁上,并在基板上形成(即沉淀)薄膜后移除,便可保持內壁清潔。
然而,這些一次性箔具有一種共同的致命缺陷。安裝到位的箔材上沉積的成膜物質容易脫落,導致沉積在基板上的薄膜仍會形成顆粒。經驗表明,一次性箔上的成膜物質層越厚,則剝落現象越頻繁。實踐中還發現,待沉積膜產品采用硅化物或銦錫氧化物等陶質材料時特別容易發生此種現象。為消除這種剝離現象,需要頻繁更換箔材,這會嚴重影響薄膜沉積操作效率。還有一個問題是,在氣相生長的薄膜形成過程中,基板周圍漂浮的大量污染物(特別是伴隨著大量顆粒的形成)導致基板上形成薄膜的質量不穩定。
發明內容
此種情況下十分需要采取有效措施遮蓋薄膜沉積設備的內壁,防止內壁上形成顆粒。
本申請旨在提供一種或多種新穎且實用的用于薄膜沉積的箔。本申請還提供帶有所述一種或多種箔的一種或多種新穎且實用的用于薄膜沉積的顆粒收集器(又稱“收集器”)。本次申請還針對所述一種或多種用于薄膜沉積的箔提供了各種新穎且實用的制作、修改、安裝、維護、移除、回收利用、更換和使用方法。相關發明的必要技術特征記載于一項或多項獨立權利要求,而有益的特征則由相應的附屬權利要求加以描述。所述箔可以是柔軟、柔韌或可變形的膜、片或薄材。
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