[發明專利]防污膜

在審

• 申請號: 201780087978.8
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN110573649A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 何偉祥;何畊緯
• 申請（專利權）人: 德揚科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54;C23C14/56
• 代理公司: 11314 北京戈程知識產權代理有限公司
• 代理人: 程偉

1.一種用于薄膜沉積工藝(例如濺射工藝)的防污膜，所述防污膜包含

在薄膜沉積工藝中捕集散射離子的一軟片材；

其中，所述軟片材是可操作的以在所述薄膜沉積工藝中保持完整性。

2.根據權利要求1所述的防污膜，其中

所述軟片材包含一層金屬。

3.根據權利要求1或2所述的防污膜，其中

所述軟片材至少包含一鐵磁材料。

4.根據任一項前述權利要求所述的防污膜，其中

所述軟片材包含一實質上純的材料、所述純的材料的氧化物或兩者的組合。

5.根據任一項前述權利要求所述的防污膜，其中

所述軟片材還包含一粗糙化的表面。

6.根據權利要求5所述的防污膜，其中

所述粗糙化的表面包含一不均勻的表面。

7.根據任一項前述權利要求所述的防污膜，其中

所述軟片材的厚度實質上是1微米到1毫米(1μm-1mm)。

8.一種薄膜沉積設備，包含：

一罩殼，包含其表面的至少一部分被任一項前述權利要求所述防污膜覆蓋。

9.根據權利要求8所述的薄膜沉積設備還包含：

一用于緊固薄膜生長用基板的固定架；以及

至少一用于約束帶電等離子體粒子的濺射源；

所述罩殼包含一容器，其具有一用于容納所述固定架及所述至少一個濺射源的容器壁；而且

所述容器壁的至少一部分被任一項前述權利要求所述防污膜覆蓋。

10.根據權利要求9所述的薄膜沉積設備，其中

所述容器壁的至少一部分包含被權利要求1至7任一項所述的第一防污膜覆蓋的第一內表面；以及被權利要求1至7任一項所述的第二防污膜覆蓋的第二個內表面。

11.一種用于薄膜沉積工藝的防污膜的制作方法，包含：

提供一用于捕集散射離子的軟片材；

露出所述軟片材的至少一部分；

對所述軟片材至少一部分的表面進行粗糙化處理；以及

自所述軟片材拆離所述的至少一部分。

12.根據權利要求10所述的方法，其中

對所述軟片材至少一部分的表面進行的粗糙化處理包含對所述表面進行一電解程序。

13.根據權利要求10或11所述的方法，其中

對所述軟片材至少一部分的表面進行的粗糙化處理包含對所述軟片材至少一部分的表面創造表面結構。

14.根據權利要求10至12任一項所述的方法還包含

對所述軟片材的至少一部分的表面進行氧化。

15.根據權利要求10至13任一項所述的方法還包含

將一基片貼附到所述軟片材上。

16.一種用于薄膜沉積工藝的防污膜的使用方法，該方法包含：

提供一根據權利要求1至7任一項所述的防污膜；

提供一薄膜沉積設備；

將所述防污膜貼附到所述薄膜沉積設備的設備壁上。

17.根據權利要求15所述的方法還包含

進行薄膜沉積工藝。

18.根據權利要求15或16所述的方法還包含

將所述防污膜從所述設備壁上移除。

19.根據權利要求15或16所述的方法還包含

對所述用于薄膜沉積工藝的設備壁進行處理。