[發明專利]一種包括具有改進的抗剝離性的上層的物體的光刻設備

有效

• 申請號: 201780087227.6
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN110337612B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: A·尼基帕羅夫;V·Y·班尼恩;約斯特·安德烈·克魯格斯特;M·A·納薩萊維奇;羅蘭·約翰內斯·威廉姆斯·斯塔斯;桑德羅·沃銳克
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 閆紅

提供了一種光刻設備，包括：物體，所述物體包括：襯底和可選地在所述襯底上的下層；上層；和在所述上層與所述襯底之間的中間層，其中所述中間層與所述襯底或下層之間的結合強度大于所述中間層與所述上層之間的結合強度，并且所述中間層的楊氏模量和/或泊松比在所述上層的楊氏模量和/或泊松比的上下20％以內。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年12月22日提交的EP申請16206194.9和于2017年2月16日提交的EP申請17156510.4的優先權，這些申請通過引用其全部內容的方式并入本文。

技術領域

本發明涉及一種光刻設備中的物體，其中所述物體具有施加于其上的層。本發明特別涉及一種用于光刻設備的傳感器的傳感器標記，和一種使用光刻設備制造器件的方法。

背景技術

光刻設備是一種將所期望的圖案施加到襯底上(通常是在襯底的目標部分上)的機器。例如，光刻設備可以用于集成電路(IC)的制造中。在那種情況下，圖案形成裝置(其替代地被稱作掩模或掩模版)可以用以產生待形成于IC的單個層上的電路圖案。。可以將所述圖案轉印到襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括管芯的一部分、一個或更多個管芯)上。典型地，通過將圖案成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行圖案的轉印。通常，單個襯底將包含被連續圖案化的相鄰目標部分的網絡。常規的光刻設備包括所謂的步進機和所謂的掃描機，在步進機中，通過將整個圖案一次性地曝光到目標部分上來輻射每個目標部分；在掃描機中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案，同時沿與所述方向平行或反向平行地同步掃描襯底來輻射每個目標部分。

在浸沒式光刻設備中，液體被液體限制結構限制在浸沒空間中。浸沒空間位于投影系統(圖案通過該投影系統被成像)的最終光學元件和圖案被轉印到的襯底或襯底被保持于其上的襯底臺之間。液體可以被流體密封限制在浸沒空間中。液體限制結構可以產生或使用氣流，例如以幫助控制浸沒空間中的液體的流動和/或位置。氣流可以幫助形成密封以將液體限制在浸沒空間中。至少部分襯底支撐臺涂覆有具有有限親水性的涂層，以減少由于襯底支撐臺相對于最終光學元件的運動而導致的液體損失。至少部分傳感器集成到襯底支撐臺中，所述至少部分傳感器涂覆有具有有限親水性的涂層，以減少液體損失并通過保持液體蒸發來減少熱載荷。

浸沒式光刻設備依靠集成到支撐襯底的支撐臺中的幾個傳感器。這些傳感器被用于：

-襯底/支撐臺相對于參考系對準；

-透鏡(重新)調整、設置、加熱補償；和

-掩模版(掩模)加熱補償。

傳感器的標記被集成到薄膜層的疊層中，所述疊層沉積在內置于支撐臺中的透明(石英)板上，并用作：

-用于DUV的空間透射濾光器(掃描器集成透鏡干涉法“ILIAS”傳感器、并行ILIAS傳感器(PARIS)、透射圖像傳感器“TIS”傳感器功能)。

-空間反射式濾光器，用于可見輻射“VIS”、近紅外“NIR”、中紅外“MIR”(智能對準傳感器混合“SMASH”傳感器功能)。

來自疊層的頂部表面(無標記區域)的反射被用于水平傳感器。

上疏水層(例如具有有限親水性的層)的粘附性可以是導致上疏水層剝離的難點。

疏水層(例如具有有限親水性的層)被施加于光刻設備中的其它物體。實際上，光刻設備中的許多物體具有施加于其上的涂層或層。可能難以防止涂層或層從物體上剝離。由于許多原因，涂層或層的剝離是不期望的，這些原因包括不期望產生顆粒(如果這些顆粒進入用于成像襯底或傳感器的束路徑中，這些顆粒可能引入成像誤差)，且包括這樣的事實：一旦涂層或層從物體上剝離，由涂層或層的存在而期望的性質就不再存在。

發明內容