[發明專利]一種包括具有改進的抗剝離性的上層的物體的光刻設備

有效

• 申請號: 201780087227.6
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN110337612B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: A·尼基帕羅夫;V·Y·班尼恩;約斯特·安德烈·克魯格斯特;M·A·納薩萊維奇;羅蘭·約翰內斯·威廉姆斯·斯塔斯;桑德羅·沃銳克
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 閆紅

1.一種包括物體的光刻設備，

所述物體包括：

襯底；

上層；和

中間層，位于所述上層與所述襯底之間、或當所述襯底 上具有下層時位于所述上層與所述襯底上的所述下層之間，其中，

所述中間層與所述襯底之間、或當所述襯底 上具有下層時所述中間層與所述下層之間的結合強度大于所述中間層與所述上層之間的結合強度，

并且

所述中間層的楊氏模量和/或泊松比在所述上層的楊氏模量和/或泊松比的上下20％以內。

2.根據權利要求1所述的光刻設備，其中，所述中間層由多個子層組成。

3.根據權利要求2所述的光刻設備，其中，所述多個子層中的一個子層包括SiO₂或GeO₂或共沉積的SiO₂和GeO₂。

4.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述中間層包括玻璃。

5.根據權利要求4所述的光刻設備，其中，所述玻璃選自以下組中的一種或更多種：硼硅酸鹽玻璃、硼磷硅酸鹽玻璃、氟化物玻璃。

6.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述中間層包括材料Al₂O₃、Y₂O₃、B₂O₃、La₂O₃、ZrO₂中的至少一種和材料GeO₂、SiO₂中的至少一種的共沉積體。

7.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述中間層包括無定形的TiO₂。

8.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述中間層包括金屬。

9.根據權利要求8所述的光刻設備，其中，所述金屬為選自以下組中的一種或更多種：Ti、Au、Ag、Pt、Pd、Rh。

10.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述中間層包括透明的且化學魯棒性的氧化物。

11.根據權利要求10所述的光刻設備，其中，所述化學魯棒性的氧化物是選自以下組中的一種或更多種：ZrO₂、Y₂O₃、Al₂O₃、B₂O₃、HfO₂。

12.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述中間層是反射VIS和NIR的層。

13.根據權利要求1或2所述的光刻設備，包括在所述襯底上形成的至少一個圖案化層，所述圖案化層包括通孔的圖案和/或形成于所述圖案化層中的臺階，其中所述上層和所述中間層形成在所述至少一個圖案化層上。

14.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述上層包括無機聚合物。

15.根據權利要求14所述的光刻設備，其中，所述無機聚合物的楊氏模量在30-70GPa的范圍內，并且泊松比在0.15-0.25的范圍內。

16.根據權利要求1或2所述的光刻設備，其中，所述中間層與所述襯底或所述下層的結合強度大于所述上層的材料與所述襯底或所述下層的材料之間的結合強度。