[發明專利]基板處理裝置、半導體器件的制造方法及記錄介質有效
| 申請號: | 201780087210.0 | 申請日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN110366770B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發明(設計)人: | 川崎潤一;岡崎正 | 申請(專利權)人: | 株式會社國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/22 | 分類號: | H01L21/22;C23C16/44;H01L21/02;H01L21/31;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;沈靜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 半導體器件 制造 方法 記錄 介質 | ||
本發明提供一種結構,具備:基板保持器,其對包括產品基板和虛設基板的多枚基板進行保持;移載機構,其將基板裝填到基板保持器上;主控制部,其根據與載置于基板保持器上的產品基板的枚數、裝填于產品基板上下的虛設基板的枚數、和表示裝填于基板保持器上的虛設基板中的最上方的載置位置的編號分別對應的設定項目來決定針對基板的基板載置位置;和搬送控制部,其根據該基板載置位置使移載機構動作。
技術領域
本發明涉及基板處理裝置、半導體器件的制造方法及記錄介質。
背景技術
在立式成膜裝置等基板處理裝置中,將搭載有多個基板(以下也稱為晶片)的基板保持器(以下也稱為晶舟)收容于處理室內且供給處理氣體并加熱,將處理室內的壓力和溫度設定為規定值,在基板表面上進行各種處理。在這種基板處理裝置中,例如在虛設基板(以下也稱為虛設晶片)與產品基板(以下也稱為產品晶片)混在一起的狀態下將處理氣體向處理爐內導入而進行處理的情況下,可知堆積于產品基板的膜厚會根據搭載于晶舟的產品基板的枚數而變動。例如如下述專利文獻1記載那樣,利用與產品枚數相應的控制參數進行配方(recipe)制作。例如如下述專利文獻2記載那樣,顯示設定基板收容位置的畫面,能夠設定基板的種類、位置、枚數的各種組合。但是,虛設基板的枚數、移載位置的變更每次都必須根據產品枚數來創建基板的種類、位置、枚數的組合,是很費事的。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2014-075574號公報
專利文獻2:日本特開2009-231748號公報
發明內容
本發明的目的在于,提供一種以成為恰當的基板配置的方式使基板的移載機構動作的結構。
根據本發明的一個方式提供一種結構,具備:基板保持器,其對包括產品基板和虛設基板的多枚基板進行保持;移載機構,其將基板裝填到基板保持器;主控制部,其根據與載置于基板保持器的產品基板的枚數、裝填于產品基板上下的虛設基板的枚數、和表示裝填于基板保持器的虛設基板中的最上方的載置位置的編號分別對應的設定項目,來決定針對基板的基板載置位置;和搬送控制部,其根據該基板載置位置使移載機構動作。
發明效果
根據上述結構,能夠以成為恰當的基板配置的方式使基板的移載機構動作。
附圖說明
圖1是本發明的實施方式的基板處理裝置的立體圖。
圖2是本發明的實施方式的基板處理裝置的側面透視圖。
圖3是本發明的實施方式的基板處理裝置的控制部及存儲部的構成例。
圖4是用于說明本發明的第1實施方式的圖。
圖5是本發明的第2及第3實施方式的對規定項目進行設定的設定畫面例。
圖6中,(a)是表示基于圖5中的設定而載置了基板的例子的圖。(b)是表示基于圖5中的設定而載置了基板的例子的圖。(c)是表示基于圖5中的設定而載置了基板的例子的圖。
圖7是本發明的實施方式的流程圖的圖示例。
圖8是用于說明本發明的第4實施方式的圖。
具體實施方式
以下,參照附圖來說明本發明的實施方式中的基板處理裝置。在本實施方式中,基板處理裝置作為一個例子而構成為實施半導體器件(IC:Integrated?Circuit(集成電路))的制造方法中的處理工序的半導體制造裝置。此外,在以下說明中,對作為基板處理裝置而應用對基板進行氧化、擴散處理或CVD處理等的批量式立式半導體制造裝置(以下簡稱為處理裝置)的情況進行敘述。圖1是應用本發明的處理裝置的透視圖,示出為立體圖。另外,圖2是圖1所示的處理裝置的側面透視圖。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





