[發明專利]安裝頭有效
| 申請號: | 201780083286.6 | 申請日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN110178457B | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 西出學人;瀬山耕平;林圣 | 申請(專利權)人: | 株式會社新川 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本東京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 安裝 | ||
本發明的安裝頭具備:附件(10),具有吸附半導體裸片(70)的表面(14);加熱器(20),配置于附件(10)的與表面(14)相反側,對吸附于表面(14)上的半導體裸片(70)進行加熱;吸引孔,一體地貫穿附件(10)及加熱器(20),并在表面(14)上開口;以及本體部,配置于加熱器(20)的與附件(10)相反側,并設置有與吸引孔連通的真空吸引路徑(32);真空吸引路徑(32)具有儲存包含自吸引孔所吸引的氣體凝結而成的液體或所述液體凝固而成的固體的異物的儲存部(90)。由此,可抑制安裝頭的污損。
技術領域
本發明涉及一種用于將半導體裸片的電極與基板或其他半導體裸片的電極進行接合的電子零件安裝裝置的安裝頭。
背景技術
之前,利用加熱工具對真空吸附于附件(attachment)上的半導體裸片進行加熱,并按壓于涂布有熱硬化性樹脂的基板上來將半導體裸片安裝于基板上的方法得到廣泛使用。熱硬化性樹脂若得到加熱,則揮發成分氣化,經氣化的揮發成分若得到冷卻,則凝結而變成液體或凝固而變成固體。因此,存在如下的情況:因加熱而氣化的熱硬化性樹脂的揮發成分自加熱工具與附件之間的微小的間隙或附件與半導體裸片之間的微小的間隙被吸入至真空流路內,在切換閥內部凝結或凝固而引起真空吸引的動作不良,或在加熱工具與附件的間隙中凝固而導致半導體裸片的加熱不良。因此,提出有如下的方法:利用蓋子將加熱工具與附件的周圍覆蓋,防止自所述蓋子中噴出空氣而經氣化的揮發成分被吸入至加熱工具與附件之間的微小的間隙或真空吸引孔中(參照專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特表2012-165313號公報
發明內容
發明所要解決的問題
然而,近年來,廣泛進行將多段在兩面配置有突出電極的半導體裸片層疊接合的堆疊安裝。在所述堆疊安裝中,在接合側的突出電極上形成焊料凸塊,將非導電性膜(Non-Conductive Film,NCF)貼附于其表面上后,使半導體裸片反轉,并使相反側的面吸附于附件上。其后,若通過附件來將半導體裸片的凸塊按壓于其他半導體裸片的電極上,并且使附件的溫度上升至焊料的熔解溫度(250℃左右)為止,則NCF低粘度化并填充半導體裸片的間隙。其后,焊料熔融,并且樹脂硬化得以進行。而且,若使附件上升,則焊料的溫度下降并固化,半導體裸片的堆疊安裝結束。
被堆疊安裝的半導體裸片在吸附于附件上的面上也形成有突出電極,因此若使半導體裸片真空吸附于附件的前端,則在附件的表面與半導體裸片的表面之間形成僅相當于突出電極的高度的間隙。NCF若被加熱至200℃以上,則丙烯酸單體等分子量小的成分氣化,因此若使附件的溫度上升至焊料的熔融溫度(250℃左右)為止,則NCF的經氣化的成分自所述間隙被吸入至附件內部的真空吸引孔中。
此處,在所述堆疊安裝中,當拾取半導體裸片時,必須將附件的溫度例如冷卻至100℃左右為止,以不使NCF變成低粘度。另外,當吸附半導體裸片時,真空吸引孔的壓力為真空,但半導體裸片的接合后,為了自附件上卸除半導體裸片,必須停止真空。因此,當在吸附半導體裸片,并將電極進行接合時將附件加熱至250℃左右為止時,NCF的氣化成分以氣體的狀態被吸引至設置于附件內部的真空吸引孔中。其后,若吸引停止,則被吸引的氣化成分滯留于真空吸引孔中,若附件被冷卻至100℃左右為止,則滯留于內部的經氣化的成分凝結而變成液體這一過程會重復。而且,留在真空吸引孔內的包含氣化成分的大量的液體例如在新的半導體裸片的堆疊處理等時得到加熱,由此硬化,并生成包含氣化成分的樹脂,所述樹脂蓄積于真空吸引孔中。最終存在如下的問題:所蓄積的樹脂將真空吸引孔密封,并污損安裝頭等。
本發明是鑒于所述情況而成者,其將抑制安裝頭的污損作為目的之一。
解決問題的技術手段
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





