[發明專利]安裝頭有效
| 申請號: | 201780083286.6 | 申請日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN110178457B | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 西出學人;瀬山耕平;林圣 | 申請(專利權)人: | 株式會社新川 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本東京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 安裝 | ||
1.一種安裝頭,其用于將半導體裸片的電極與基板或其他半導體裸片的電極進行接合的電子零件安裝裝置,所述安裝頭包括:
附件,具有吸附半導體裸片的吸附面;
接合加熱器,配置于所述附件的與所述吸附面相反側的面上,對所述附件及所述半導體裸片進行加熱;
本體部,在端面上保持所述接合加熱器;
第1開口部,形成于所述附件的所述吸附面上;
第2開口部,形成于所述本體部的與所述端面不同的面上;
吸引路徑,具有在所述本體部內使自所述第1開口部所吸引的氣體的流路彎曲的第1彎曲部,并貫穿所述附件、所述接合加熱器、及所述本體部的內部,且所述吸引路徑將自所述第1開口部所吸引的氣體在所述第2開口部排出至外部;以及
防滴下部,形成于所述吸引路徑的在所述本體部中所形成的真空吸引路徑中,并抑制所述氣體凝結而成的液滴滴下至所述接合加熱器上。
2.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述防滴下部包括儲存部,所述儲存部配置于比所述吸引路徑的所述第1彎曲部更靠近所述氣體的吸引方向下游側,并儲存所述氣體凝結而成的所述液滴或所述液滴凝固而成的固體。
3.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述防滴下部包括路徑加熱器,所述路徑加熱器在所述吸引路徑中配置在貫穿所述接合加熱器的貫穿孔的正上方部,并將所述氣體加熱至所述氣體的凝結溫度以上的溫度。
4.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述防滴下部包括冷卻部,所述冷卻部配置于比所述吸引路徑的所述第1彎曲部更靠近所述氣體的吸引方向下游側,并將所述氣體冷卻至所述氣體的凝結溫度以下的溫度。
5.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述防滴下部包括凝結部,所述凝結部配置于比所述吸引路徑的所述第1彎曲部更靠近所述氣體的吸引方向下游側,并增加所述氣體的流體阻力。
6.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述吸引路徑還包括設置于比所述第1彎曲部更靠近所述氣體的吸引方向下游側的第2彎曲部,
所述防滴下部橫跨所述第1彎曲部及所述第2彎曲部來設置。
7.根據權利要求6所述的安裝頭,其中儲存所述氣體凝結而成的所述液滴或所述液滴凝固而成的固體的儲存部配置于所述第2彎曲部上。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的安裝頭,其中所述本體部是在穿過儲存所述氣體凝結而成的所述液滴或所述液滴凝固而成的固體的儲存部的分割面上,上下能夠分割地構成。
9.根據權利要求8所述的安裝頭,其中所述儲存部的底部設置于通過所述分割面所分割的下部本體部中。
10.根據權利要求8所述的安裝頭,其中所述本體部在通過所述分割面所分割的上部本體部中具備第3開口部,
所述第3開口部是以朝向所述氣體的吸引方向下游側逐漸地變小的方式形成為錐狀,所述第3開口部的一端面的直徑大于所述第3開口部的所述吸引方向下游側的另一端面的直徑。
11.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述本體部沿著所述氣體的吸引方向依次包括:路徑加熱器,在所述吸引路徑中配置在貫穿所述接合加熱器的貫穿孔的正上方部,并將所述氣體加熱至所述氣體的凝結溫度以上的溫度;儲存部,配置于比所述吸引路徑的所述第1彎曲部更靠近所述氣體的吸引方向下游側,并儲存所述氣體凝結而成的所述液滴或所述液滴凝固而成的固體;以及冷卻部,配置于比所述吸引路徑的所述第1彎曲部更靠近所述氣體的吸引方向下游側,并將所述氣體冷卻至所述氣體的凝結溫度以下的溫度。
12.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述本體部在所述吸引路徑中,在與設置有儲存所述氣體凝結而成的所述液滴或所述液滴凝固而成的固體的儲存部的位置相向的位置上還包括突起部。
13.根據權利要求1所述的安裝頭,其中所述接合加熱器與所述本體部包含具有不同的導熱率的材料而構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





