[發(fā)明專利]流動池套件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780082170.0 | 申請日: | 2017-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN110382717A | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 詹姆斯·特賽;安米弗·普拉布;大衛(wèi)·海納;愛德文·李;亞歷山大·里切斯;約翰·M·拜爾勒;凱萬·薩米;克里斯蒂娜·穆諾茨;里奧尼德·馬列萬奇克;盧多維克·文森特;戰(zhàn)乃乾;佩頓·謝;羅伯特·楊;薩曼莎·施米特;樸相律;斯科特·貝利;S·M·拉米雷茲;安宣珉;瓦萊麗·亞澤爾;韋瑋;黃宇翔;泰勒·賈米森·迪爾 | 申請(專利權)人: | 伊魯米那股份有限公司;伊魯米納劍橋有限公司 |
| 主分類號: | C12Q1/6874 | 分類號: | C12Q1/6874;C09D133/24;C09D133/26 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 牟靜芳;鄭霞 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 凹陷部 官能化分子 圖案化晶片 改性 隙間 流動池 套件 硅烷衍生物 第二表面 第一表面 區(qū)域分隔 間隔層 硅烷 接枝 第二引物 第一引物 流體腔室 區(qū)域結合 界定 制造 | ||
流動池套件包括第一表面改性的圖案化晶片和第二表面改性的圖案化晶片以及間隔層。所述第一表面改性的圖案化晶片包括由第一隙間區(qū)域分隔的第一凹陷部、在第一凹陷部中的至少一些中結合至第一硅烷或硅烷衍生物的第一官能化分子、以及在第一凹陷部中的至少一些中接枝到所述第一官能化分子的第一引物。所述第二表面改性的圖案化晶片包括由第二隙間區(qū)域分隔的第二凹陷部、在第二凹陷部中的至少一些中結合至第二硅烷或硅烷衍生物的第二官能化分子、以及在第二凹陷部中的至少一些中接枝到第二官能化分子的第二引物。所述間隔層將至少一些第一隙間區(qū)域與至少一些第二隙間區(qū)域結合,并且至少部分地界定流動池套件的相應的流體腔室。
相關申請的交叉引用
本申請要求2016年12月22日提交的美國臨時申請序號62/438,316的權益,該美國臨時申請的內容通過引用以其整體并入本文。
背景
生物陣列是用于檢測和分析包括脫氧核糖核酸(DNA)和核糖核酸(RNA)的分子的多種工具之一。在這些應用中,陣列被設計成包括用于在人類和其他生物體的基因中存在的核苷酸序列的探針。例如,在某些應用中,單獨的DNA和RNA探針可以被附接在陣列支撐物(array support)上的幾何網格(geometric grid)中(或隨機)的小位置。例如來自已知的人或生物體的測試樣品可以暴露于網格,使得互補片段在陣列中的單獨的位點與探針雜交(hybridize)。然后可以通過掃描位點上特定頻率的光來檢查陣列,以通過片段雜交的位點的熒光來識別在樣品中存在哪些片段。
生物陣列可以用于基因測序。通常,基因測序涉及確定一段基因材料例如一段DNA或RNA的片段中核苷酸或核酸的順序。越來越長的堿基對序列正在被分析,并且所得到的序列信息可以用于各種生物信息學方法中,以將片段邏輯地裝配(logically fit)在一起,以便可靠地確定片段所衍生自的廣泛長度的基因材料的序列。已經開發(fā)了自動化的基于計算機的特征片段的檢查,并且已經被用于基因組作圖、基因及其功能的識別、某些狀況和疾病狀態(tài)的風險評估等。除了這些應用之外,生物陣列還可以用于檢測和評估寬范圍的分子、分子家族、基因表達水平、單核苷酸多態(tài)性和基因分型。
概述
在本文公開的方法的實例中,形成表面改性的圖案化晶片,并且將表面改性的圖案化晶片中的兩個通過其間的間隔層(spacer layer)結合在一起。為了形成表面改性的圖案化晶片,將硅烷或硅烷衍生物附接至包括由隙間區(qū)域(interstitial region)分隔的凹陷部(depression)的圖案化晶片的表面,以形成硅烷化的凹陷部和硅烷化的隙間區(qū)域。在硅烷化的凹陷部中和在硅烷化的隙間區(qū)域上形成官能化分子的涂覆層(coating layer)。涂覆層從硅烷化的隙間區(qū)域被拋光(polish)。在一些實例中,使用以下從硅烷化的隙間區(qū)域拋光涂覆層:i)堿性含水漿料,所述堿性含水漿料具有在從約7.5至約11的范圍內的pH并且包含具有小于圖案化晶片的硬度的硬度的磨料顆粒(abrasive particle),或ii)拋光墊(polishing pad)和不含磨料顆粒的溶液。引物被接枝到硅烷化的凹陷部中的涂覆層以形成官能化的凹陷部。
在本文公開的方法的另一個實例中,該方法包括通過以下來形成表面改性的圖案化晶片:等離子體灰化(plasma ashing)包括由隙間區(qū)域分隔的凹陷部的圖案化晶片的表面;在凹陷部中和在隙間區(qū)域上形成官能化分子的涂覆層;從隙間區(qū)域(任選地使用:i)堿性含水漿料,該堿性含水漿料具有在從約7.5至約11的范圍內的pH并且包含具有小于圖案化晶片的硬度的硬度的磨料顆粒,或ii)拋光墊和不含磨料顆粒的溶液)拋光涂覆層;以及將引物接枝到凹陷部中的涂覆層以形成官能化的凹陷部。該方法還包括將表面改性的圖案化晶片中的兩個通過其間的間隔層結合在一起。
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