[發(fā)明專利]流動池套件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201780082170.0
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN110382717A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設計）人: 詹姆斯·特賽;安米弗·普拉布;大衛(wèi)·海納;愛德文·李;亞歷山大·里切斯;約翰·M·拜爾勒;凱萬·薩米;克里斯蒂娜·穆諾茨;里奧尼德·馬列萬奇克;盧多維克·文森特;戰(zhàn)乃乾;佩頓·謝;羅伯特·楊;薩曼莎·施米特;樸相律;斯科特·貝利;S·M·拉米雷茲;安宣珉;瓦萊麗·亞澤爾;韋瑋;黃宇翔;泰勒·賈米森·迪爾
• 申請（專利權）人: 伊魯米那股份有限公司;伊魯米納劍橋有限公司
• 主分類號: C12Q1/6874
• 分類號: C12Q1/6874;C09D133/24;C09D133/26
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 牟靜芳;鄭霞

1.一種方法，包括：

通過以下來形成表面改性的圖案化晶片：

將硅烷或硅烷衍生物附接至包括由隙間區(qū)域分隔的凹陷部的圖案化晶片的表面，從而形成硅烷化的凹陷部和硅烷化的隙間區(qū)域；

在所述硅烷化的凹陷部中和在所述硅烷化的隙間區(qū)域上形成官能化分子的涂覆層；

從所述硅烷化的隙間區(qū)域拋光所述涂覆層，所述拋光任選地使用：i)堿性含水漿料，所述堿性含水漿料具有在從約7.5至約11的范圍內的pH并且包含具有小于所述圖案化晶片的硬度的硬度的磨料顆粒，或ii)拋光墊和不含所述磨料顆粒的溶液；以及

將引物接枝到所述硅烷化的凹陷部中的所述涂覆層以形成官能化的凹陷部；以及

將所述表面改性的圖案化晶片中的兩個通過其間的間隔層結合在一起。

2.如權利要求1所述的方法，其中將所述硅烷或所述硅烷衍生物附接至所述圖案化晶片的所述表面涉及氣相沉積、旋涂、化學氣相沉積或收率工程系統(tǒng)(YES)方法中的至少一種。

3.如權利要求1或權利要求2中任一項所述的方法，其中形成所述官能化分子的所述涂覆層包括使所述官能化分子的官能團與所述硅烷或硅烷衍生物的不飽和部分反應，并且任選地其中所述不飽和部分選自由環(huán)烯烴、環(huán)炔烴、雜環(huán)烯烴、雜環(huán)炔烴、其被取代的變體、以及它們的組合組成的組。

4.如權利要求1或權利要求2中任一項所述的方法，其中形成所述官能化分子的所述涂覆層包括：

將包含所述官能化分子的溶液沉積到所述硅烷化的凹陷部和所述硅烷化的隙間區(qū)域上；以及

固化所述官能化分子。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述堿性含水漿料還包含螯合劑、表面活性劑、分散劑、或它們的組合。

6.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中將所述引物接枝到所述涂覆層涉及浸涂、噴涂、水坑分配、或它們的組合。

7.如前述權利要求中任一項所述的方法，還包括在將所述硅烷或所述硅烷衍生物附接之前等離子體灰化所述圖案化晶片。

8.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述官能化分子的所述涂覆層具有約200nm或更小的厚度。

9.如前述權利要求中任一項所述的方法，還包括將結合的表面改性的圖案化晶片切割成相應的流動池。

10.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述間隔層是輻射吸收材料。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述結合涉及：

將所述輻射吸收材料定位在兩個表面改性的圖案化晶片之間的界面處，使得所述輻射吸收材料接觸所述兩個表面改性的圖案化晶片中的每個的所述隙間區(qū)域中的至少一些；以及

在所述界面處施加壓縮并且輻照所述輻射吸收材料。

12.如權利要求1-9中任一項所述的方法，其中所述間隔層包括與其接觸的輻射吸收材料。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述結合涉及：

將所述輻射吸收材料定位在所述間隔層和所述兩個表面改性的圖案化晶片中的每個之間的相應的界面處，使得所述輻射吸收材料接觸所述兩個表面改性的圖案化晶片中的每個的所述隙間區(qū)域中的至少一些；以及

在所述相應的界面處施加壓縮并且輻照所述輻射吸收材料。

14.如權利要求10-13中任一項所述的方法，其中：

所述兩個表面改性的圖案化晶片被定位成使得所述兩個表面改性的圖案化晶片中的一個的所述官能化的凹陷部中的至少一些與所述兩個表面改性的圖案化晶片中的另一個的相應的官能化的凹陷部對齊，以形成流體腔室；以及

所述間隔層界定相鄰的流體腔室之間的縱向壁。