[發(fā)明專利]襯底處理裝置、反應管、半導體器件的制造方法及程序

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780082079.9
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN110121764A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設計）人: 西堂周平;佐佐木隆史;吉田秀成;岡嶋優(yōu)作
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/455;H01L21/318
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;劉偉志

公開了一種使反應管內的處理氣體的速度分布在晶片之間均勻的技術。裝置具備：襯底保持件，其保持多張襯底；筒部，其設置在反應管內部，具有收納襯底保持件并對襯底進行處理的處理室；噴管配置室，其劃分反應管與筒部之間的間隙而設置；氣體噴管，其配置在噴管配置室內，向處理室內供給處理氣體；氣體供給口，其以供噴管配置室和處理室連通的方式形成于筒部；氣體排氣口，其以使間隙和處理室連通的方式形成于筒部，將處理室內的環(huán)境氣體排出到間隙；和排氣部，其與反應管連接，對間隙內的環(huán)境氣體進行排氣。

技術領域

本發(fā)明涉及襯底處理裝置、反應管、半導體器件的制造方法及程序。

背景技術

作為襯底處理裝置或半導體制造裝置的一個例子，公知縱式裝置。縱式裝置在反應管內具有將襯底(晶片)多層地保持的作為襯底保持部件的舟皿，在保持著該多張襯底的狀態(tài)下在反應管內的處理室中對襯底進行批處理(例如參照專利文獻1及2)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-147432號公報

專利文獻2：國際特開第2015/041376號公報

發(fā)明內容

但是，在縱式裝置中，反應管內的排氣側(晶片下游)的壓力損失大，因此處理氣體的速度分布在晶片之間變得不均勻，處理氣體的分解促進程度有時會不同。因此，有時會由于在從晶片通過的期間產生的分解程度的差異，而導致在上下層的晶片之間產生膜厚差。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠使晶片之間的處理氣體的速度分布均勻的技術。

根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種技術，具備：

襯底保持件(217)，其保持多張襯底；

筒部(209)，其設置在反應管內部，具有收納上述襯底保持件并對上述襯底進行處理的處理室；

噴管配置室(222)，其劃分上述反應管與上述筒部之間的間隙而設置；

氣體噴管(340a-340c)，其配置于上述噴管配置室內，向上述處理室內供給處理氣體；

氣體供給口(235)，其以供上述噴管配置室和上述處理室連通的方式形成于上述筒部；

氣體排氣口(236、237)，其以使上述間隙和上述處理室連通的方式形成于上述筒部，將上述處理室內的環(huán)境氣體排出到上述間隙；和

排氣部(230、231)，其與上述反應管連接，對上述間隙內的環(huán)境氣體進行排氣。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠使晶片之間的處理氣體的速度分布均勻。

附圖說明

圖1是實施方式的襯底處理裝置的縱式處理爐的縱剖視圖。

圖2是實施方式的襯底處理裝置的反應管的橫剖視圖。

圖3是實施方式的襯底處理裝置的反應管的立體剖視圖。

圖4是實施方式的襯底處理裝置的反應管部分的縱剖視圖。

圖5是將實施方式的襯底處理裝置的反應管的上部放大而得到的放大圖。

圖6是實施方式的襯底處理裝置的控制器的框圖。

圖7是表示示出實施方式的反應管內的氣體流動的狀況的解析結果的圖。

圖8是表示實施方式的襯底處理裝置和比較例的襯底處理裝置的反應管內的壓力分布的圖。

圖9是表示本實施方式的襯底處理裝置和比較例的襯底處理裝置的反應管內的晶片中心的氣體速度分布的圖。