[發明專利]襯底處理裝置、反應管、半導體器件的制造方法及程序

在審

• 申請號: 201780082079.9
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN110121764A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 西堂周平;佐佐木隆史;吉田秀成;岡嶋優作
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/455;H01L21/318
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;劉偉志

1.一種襯底處理裝置，其特征在于，具備：

襯底保持件，其保持多張襯底；

筒部，其設置在反應管內部，具有收納所述襯底保持件并對所述襯底進行處理的處理室；

氣體供給部，其與所述筒部接近地沿著其延伸方向配置，向所述處理室內供給處理氣體；

氣體供給口，其以供所述氣體供給部和所述處理室連通的方式形成；

氣體排氣口，其以使所述反應管與所述筒部之間的間隙和所述處理室連通的方式形成于所述筒部，將所述處理室內的環境氣體排出到所述間隙；和

排氣部，其與所述反應管連接，對所述間隙內的環境氣體進行排氣。

2.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述反應管的上端被封閉，所述排氣部在比所述氣體排氣口靠下方的位置處與所述反應管連接。

3.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于，

在所述筒部的比所述氣體排氣口靠下方的位置，形成有對所述處理室下方的環境氣體進行排氣的第2氣體排氣口。

4.如權利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于，

從所述氣體排氣口排出的氣體經由所述筒部背后的所述間隙而被從所述排氣部排出到所述反應管外。

5.如權利要求4所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述筒部的上端被封閉。

6.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述氣體排氣口及所述排氣部在從所述筒部的中心觀察時，設在與所述氣體供給口相反的一側。

7.如權利要求6所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述氣體供給部具有劃分所述間隙而設置的緩沖室，所述氣體供給口設在作為所述緩沖室的內周側的壁的所述筒部上。

8.如權利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述氣體供給部具有氣體噴管，該氣體噴管配置在所述噴管配置室內，并向所述處理室內供給處理氣體。

9.如權利要求8所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述氣體供給孔設在與所述氣體排氣口相面對的位置。

10.如權利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，

通過使用除了所述噴管配置室以外的所述間隙整體將所述處理室內的環境氣體從所述氣體排氣口向所述排氣部排出，而相對于規定直徑的所述反應管，使所述氣體排氣口與所述排氣部之間的壓力損失最小化。

11.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，

將向所述間隙供給非活性氣體的氣體噴管設置在所述筒部背后的所述間隙。

12.一種反應管，在襯底處理裝置中使用，所述反應管的特征在于，具備：

筒部，其設置在反應管內部，具有收納保持多張襯底的襯底保持件并對所述襯底進行處理的處理室；

噴管配置室，其劃分所述反應管與所述筒部之間的間隙而設置，配置向所述處理室內供給處理氣體的氣體噴管；

氣體供給口，其以供所述噴管配置室和所述處理室連通的方式形成于所述筒部；

氣體排氣口，其以使所述間隙和所述處理室連通的方式形成于所述筒部，將所述處理室內的環境氣體排出到所述間隙；和

排氣口，其形成于所述反應管，與排出所述間隙內的環境氣體的排氣部連接。