[發(fā)明專利]在制造過程中引導(dǎo)過程模型和檢查的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780081265.0
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN110121681B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹宇;鄒毅;林晨希
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G05B19/418;G06T7/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 胡良均

一種用于諸如減少校準(zhǔn)時間、改進模型的精確度以及改進整個制造過程的各種目的的方法，其中通過兩個不同的過程模型模擬圖像的特性的偏差或通過過程模型模擬且通過量測工具測量所述特性的偏差。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年12月28日遞交的美國臨時申請62/439,679的優(yōu)先權(quán)，且通過引用將其全文并入本發(fā)明中。

技術(shù)領(lǐng)域

此處的說明書涉及用于在制造過程中的過程模型化和檢查的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)

可以將光刻投影設(shè)備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情形下，圖案形成裝置(例如，掩模)可以包含或提供對應(yīng)于IC(“設(shè)計布局”)的單個層的圖案，且可以將所述圖案轉(zhuǎn)印到已經(jīng)涂覆有輻射敏感材料層(“抗蝕劑”)的襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個或更多個管芯)上，例如通過諸如經(jīng)由所述圖案形成裝置上的圖案輻射所述目標(biāo)部分的方法。通常，單個襯底包括多個相鄰的目標(biāo)部分，所述圖案通過所述光刻投影設(shè)備被連續(xù)地、以一次一個目標(biāo)部分的方式轉(zhuǎn)印至多個相鄰目標(biāo)。在一種類型的光刻投影設(shè)備中，在所述整個圖案形成裝置上的所述圖案被一次性轉(zhuǎn)印至一個目標(biāo)部分上；這樣的設(shè)備通常被稱為步進機。在可替代的通常被稱為步進掃描設(shè)備的設(shè)備中，投影束在給定的參考方向(所述“掃描”方向)上在所述圖案形成裝置之上進行掃描，同時同步地平行或反向平行于所述參考方向移動所述襯底。在所述圖案形成裝置上的所述圖案的不同部分被逐步地轉(zhuǎn)印至一個目標(biāo)部分上。通常由于所述光刻投影設(shè)備將具有縮小比例M(例如，4)，因此所述襯底被移動的速度F將為投影束掃描圖案形成裝置的速度的1/M倍。可以例如從通過引用并入本文中的US 6,046,792收集到關(guān)于如本文中所描述的光刻設(shè)備的更多信息。

在將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)印至所述襯底之前，所述襯底可能經(jīng)歷各種工序，諸如涂底料、抗蝕劑涂覆和軟焙烤。在曝光之后，所述襯底可能經(jīng)歷其它工序，諸如曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤，和所轉(zhuǎn)印的圖案的測量/檢查。這一系列的工序被用作為制造器件(例如IC)的單個層的基礎(chǔ)。之后，所述襯底可能經(jīng)歷各種過程，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機械拋光等，所有的過程都意圖完成器件的單個層。如果所述器件需要多個層，則將對于每一層重復(fù)整個工序或其變形。最終，器件將存在于所述襯底上的每一目標(biāo)部分中。之后，通過諸如切片或切割的技術(shù)來使這些器件彼此分離，由此可以將單個器件安裝在載體上、連接至引腳等。

如注意到的，光刻術(shù)為在IC和其它器件的制造中的中心步驟，其中在襯底上形成的圖案限定了所述IC或其它器件的功能元件，諸如微處理器、存儲器芯片等。類似的光刻技術(shù)也用于形成平板顯示器、微機電系統(tǒng)(MEMS)和其它器件。

隨著半導(dǎo)體制造工藝不斷發(fā)展，功能元件的尺寸被不斷地減小，同時每一器件的功能元件(諸如晶體管)的數(shù)量在數(shù)十年來遵循通常稱為“摩爾定律”的趨勢而穩(wěn)步地增長。在現(xiàn)有技術(shù)的情形下，通過使用光刻投影設(shè)備來制造器件的層，該光刻投影設(shè)備使用來自深紫外照射源的照射將設(shè)計布局投影到襯底上，從而產(chǎn)生具有充分地低于100nm的尺寸的獨立的功能元件，即該功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm照射源)的輻射的波長的一半。