[發(fā)明專利]在制造過程中引導(dǎo)過程模型和檢查的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780081265.0
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN110121681B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹宇;鄒毅;林晨希
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G05B19/418;G06T7/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 胡良均

1.一種在制造過程中引導(dǎo)過程模型和檢查的方法，所述方法包括：

獲得第一測量特性，所述第一測量特性通過在一組處理條件中的每一個下或在一組部位中的每一個處測量在襯底上物理地產(chǎn)生的圖像的第一特性來獲得；

通過使用第一過程模型在所述一組處理條件中的每一個下或在所述一組部位中的每一個處模擬所述第一特性來獲得第一模擬特性；

針對于所述一組部位中的每一個或所述一組處理條件中的每一個確定所述第一測量特性與所述第一模擬特性之間的偏差；

基于所述偏差從所述一組部位選擇部位的子組或從所述一組處理條件選擇處理條件的子組；和

使用來自部位的所述子組或在處理條件的所述子組下的數(shù)據(jù)調(diào)整所述第一過程模型、使用所述數(shù)據(jù)來構(gòu)造第二過程模型、使用所述數(shù)據(jù)來調(diào)整形成所述圖像的過程的條件，和/或檢查基于部位的所述子組或基于處理條件的所述子組來確定的所述襯底上的部位的一個群組處的缺陷。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖像為空間圖像。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖像為抗蝕劑的圖像。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖像為所蝕刻的圖像。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一特性為臨界尺寸。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一特性為過程窗口。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中模擬所述第一特性包括使用所述一組處理條件。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中部位的所述子組處的所述偏差在所述一組部位處的偏差中是最高的。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)包括形成所述圖像的所述過程的條件和在部位的所述子組處測量的第二特性。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述條件包括用于形成所述圖像的圖案形成裝置的特性。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一組處理條件包括用于形成所述圖像的照射的特性或用于形成所述圖像的投影光學(xué)裝置的特性。

12.一種其上被記錄有指令的非臨時性計算機可讀介質(zhì)，當(dāng)通過計算機執(zhí)行時所述指令實施如權(quán)利要求1所述的方法。

13.一種在制造過程中引導(dǎo)過程模型和檢查的方法，所述方法包括：

在襯底上的一組部位中的每一個處，使用第一過程模型且使用第二過程模型來模擬在所述襯底上產(chǎn)生的圖像的第一特性；

在所述一組部位中的每一個處確定使用所述第一過程模型來模擬的第一特性與使用所述第二過程模型來模擬的第一特性之間的偏差；

基于所述偏差從所述一組部位選擇部位的子組；

使用來自部位的所述子組的數(shù)據(jù)調(diào)整所述第一過程模型、使用所述數(shù)據(jù)來構(gòu)造第三過程模型、使用所述數(shù)據(jù)來調(diào)整形成所述圖像的過程的條件，和/或檢查基于部位的所述子組來確定的所述襯底上的部位的一個群組處的缺陷。