[發明專利]量測圖像與設計之間的模擬輔助的對準

有效

• 申請號: 201780081217.1
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN110140088B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 王德勝
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 胡良均

一種方法包括：使用設計布局的特性和圖案化過程的特性來模擬圖像或圖像的特性；確定所述圖像或圖像的特性與所述設計布局或設計布局的特性之間的偏差；基于所述偏差使從經圖案化的襯底獲得的量測圖像與所述設計布局對準，其中所述經圖案化的襯底包括使用圖案化過程由所述設計布局產生的圖案；和根據與所述設計布局對準的所述量測圖像確定經圖案化的襯底的參數。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年12月28日遞交的US申請No.62/439,690的優選權，該US申請的全部內容以引用的方式并入本發明中。

技術領域

本公開內容涉及一種用于測量襯底上的由圖案化過程形成的圖案的方法和設備。

背景技術

光刻設備為將所期望的圖案施加至襯底上(通常施加至襯底的目標部分上)的機器。光刻設備可以用于例如集成電路(IC)或其它器件的制造中。在那種情況下，圖案形成裝置(其替代地被稱作掩模或掩模版)可以用以產生待形成于IC的單層上的圖案。可以將該圖案轉印至襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括管芯的部分、一個管芯或幾個管芯)上。通常經由將圖案成像至提供于襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案的轉印。一般而言，單個襯底將包括依次圖案化的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括：所謂的步進器，其中一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；和所謂的掃描器，其中在給定方向(“掃描”方向)上通過輻射束掃描圖案同時平行或反向平行于所述方向同步地掃描襯底來輻照每一目標部分。也有可能將圖案壓印至襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉印至襯底。

為了監視圖案化過程(即，涉及光刻術的器件制造過程，包括例如抗蝕劑處理、蝕刻、顯影、焙烤等)的一個或更多個步驟，檢查經圖案化的襯底且確定經圖案化的襯底的一個或更多個參數。例如，該一個或更多個參數可以包括邊緣置放誤差(EPE)，其為形成于襯底上的圖案的邊緣與所述圖案的所預期的設計的對應邊緣之間的距離?？蓪Ξa品襯底自身的圖案和/或對提供于襯底上的專用量測目標執行這一測量。存在用于對在圖案化過程中形成的微觀結構進行測量的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡(SEM)和/或各種專用工具。

發明內容

在一方面中，提供了一種方法，包括：使用設計布局的特性和圖案化過程的特性來模擬圖像或圖像的特性；確定所述圖像或圖像的特性與設計布局或設計布局的特性之間的偏差；基于所述偏差使從經圖案化的襯底獲得的量測圖像與所述設計布局對準，其中所述經圖案化的襯底包括使用該圖案化過程由所述設計布局產生的圖案；和根據與所述設計布局對準的所述量測圖像確定經圖案化的襯底的參數。

根據實施例，所述方法還包括基于所述參數調整所述設計布局、包括所述設計布局的圖案形成裝置或所述圖案化過程。

根據實施例，模擬所述圖像或所述圖像的特性還包括使用分辨率增強技術的特性或圖案形成裝置的特性。

根據實施例，所述分辨度增強技術配置成將輔助特征放至所述設計布局中。

根據實施例，所述圖案形成裝置的所述特性包括所述圖案形成裝置上的圖案的變形。

根據實施例，所述偏差介于所述設計布局的映射參考物與所述圖像的對應映射參考物之間。

根據實施例，所述映射參考物包括輪廓中的邊緣。

根據實施例，所述圖像為空間圖像、抗蝕劑圖像或蝕刻的圖像。

根據實施例，所述偏差包括邊緣置放誤差。

根據實施例，所述量測圖像為掃描電子顯微圖像。

根據實施例，所述量測圖像為像素化的圖像。

根據實施例，對準所述量測圖像與所述設計布局包括從量測圖像識別輪廓。