[發(fā)明專(zhuān)利]處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780080296.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110114858B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 太田喬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/306 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 供給 裝置 以及 方法 | ||
1.一種處理液供給裝置,對(duì)處理基板的處理單元供給處理液,包含:
貯存槽,貯存處理液;
循環(huán)流路,使所述貯存槽內(nèi)的處理液循環(huán);
供給流路,自所述循環(huán)流路對(duì)所述處理單元供給處理液;
返回流路,使已供給至所述處理單元的處理液返回至所述循環(huán)流路;以及
溫度調(diào)節(jié)單元,對(duì)在所述循環(huán)流路循環(huán)的處理液的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié),
所述循環(huán)流路包含連接有所述返回流路的循環(huán)槽、自所述循環(huán)流路的上游側(cè)連接至所述循環(huán)槽的上游流路、及自所述循環(huán)流路的下游側(cè)連接至所述循環(huán)槽的下游流路。
2.如權(quán)利要求1所述的處理液供給裝置,其中,
處理液流經(jīng)所述返回流路內(nèi)的距離比處理液流經(jīng)所述下游流路內(nèi)的距離短。
3.如權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其中,
所述循環(huán)槽包含連接有所述上游流路及所述返回流路的頂部、及連接有所述下游流路的底部。
4.如權(quán)利要求3所述的處理液供給裝置,其中,還包含:
下游閥,用以開(kāi)閉所述下游流路;以及
閥開(kāi)閉單元,用以維持關(guān)閉所述下游閥的狀態(tài)直至所述循環(huán)槽內(nèi)的處理液的量達(dá)到基準(zhǔn)量為止,在所述循環(huán)槽內(nèi)的處理液的量達(dá)到所述基準(zhǔn)量時(shí)打開(kāi)所述下游閥。
5.如權(quán)利要求3所述的處理液供給裝置,其中,
設(shè)置有多個(gè)所述處理單元;
自所述供給流路供給至多個(gè)所述處理單元中的各個(gè)處理單元的處理液經(jīng)由所述返回流路而共通地供給至所述循環(huán)槽。
6.如權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其中,
所述循環(huán)槽比所述處理單元所具有的用以收容所述基板的處理腔室靠下方。
7.如權(quán)利要求6所述的處理液供給裝置,其中,
所述循環(huán)槽與所述返回流路一起收容于與所述處理腔室鄰接配置的流路盒。
8.如權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其中,
設(shè)置有多個(gè)所述貯存槽;
上述處理液供給裝置還包含:
上游切換單元,將對(duì)所述循環(huán)槽或所述處理單元供給處理液的作為供給源的所述貯存槽在所述多個(gè)貯存槽中進(jìn)行切換;以及
下游切換單元,以使自所述循環(huán)槽被供給處理液的作為供給目標(biāo)的所述貯存槽與作為所述供給源的所述貯存槽為同一槽的方式,將作為所述供給目標(biāo)的所述貯存槽在所述多個(gè)貯存槽中進(jìn)行切換。
9.一種基板處理裝置,包含:
權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置;以及
所述處理單元。
10.一種處理液供給方法,對(duì)利用處理液處理基板的處理單元供給處理液,包含:
循環(huán)步驟,使貯存處理液的貯存槽內(nèi)的處理液在循環(huán)流路中循環(huán);
溫度調(diào)節(jié)步驟,對(duì)所述循環(huán)流路內(nèi)的處理液的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié);
供給步驟,在所述溫度調(diào)節(jié)步驟開(kāi)始后,自所述循環(huán)流路對(duì)所述處理單元供給處理液;以及
返回步驟,使已在所述供給步驟中供給至所述處理單元的處理液返回至所述循環(huán)流路,
所述循環(huán)步驟中,處理液依次在與用以已供給至所述處理單元的處理液經(jīng)由返回流路返回的循環(huán)槽連接的上游流路、所述循環(huán)槽及自所述循環(huán)流路的下游側(cè)連接至所述循環(huán)槽的下游流路中流動(dòng)。
11.如權(quán)利要求10所述的處理液供給方法,其中,
所述返回步驟中處理液流經(jīng)所述返回流路內(nèi)的距離比所述循環(huán)步驟中處理液流經(jīng)所述下游流路內(nèi)的距離短。
12.如權(quán)利要求10或11所述的處理液供給方法,其中,
所述循環(huán)槽包含連接有所述上游流路及所述返回流路的頂部、及連接有所述下游流路的底部。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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