[發明專利]壓印設備

在審

• 申請號: 201780079812.1
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN110226128A
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 亞歷山大·里切斯;安德魯·A·布朗;朱莉婭·莫里森;韋恩·N·喬治;蒂莫西·J·默克爾;奧德麗·羅斯·扎克
• 申請（專利權）人: 伊魯米那股份有限公司;伊魯米納劍橋有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;C09D183/04
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 牟靜芳;鄭霞

1.一種壓印設備，包括：

硅母體，所述硅母體包括在其中限定的多于一個的納米特征；以及

抗粘層，所述抗粘層涂覆所述硅母體，所述抗粘層包括具有環硅氧烷的分子，所述環硅氧烷具有至少一個硅烷官能團。

2.如權利要求1所述的壓印設備，其中所述分子是環硅氧烷、環四硅氧烷、環戊硅氧烷或環己硅氧烷，并且其中所述分子被至少一個未被取代的C_1-6烷基基團取代且被至少一個被烷氧基硅烷基團取代的C_1-12烷基基團取代。

3.如權利要求1或權利要求2所述的壓印設備，其中所述分子被四個未被取代的C_1-6烷基基團和四個各自被三烷氧基硅烷基團取代的C_1-12烷基基團取代。

4.如權利要求2或權利要求3所述的壓印設備，其中所述未被取代的C_1-6烷基基團是甲基基團。

5.如權利要求2至4中任一項所述的壓印設備，其中各自被烷氧基硅烷基團取代的所述C_1-12烷基基團是乙基基團或丙基基團。

6.如權利要求5所述的壓印設備，其中各自被烷氧基硅烷基團取代的所述C_1-12烷基基團是乙基基團。

7.如權利要求2至6中任一項所述的壓印設備，其中所述烷氧基硅烷基團或三烷氧基硅烷基團是三甲氧基硅烷或三乙氧基硅烷。

8.如權利要求7所述的壓印設備，其中所述烷氧基硅烷基團或三烷氧基硅烷基團是三乙氧基硅烷。

9.如權利要求1所述的壓印設備，其中所述環硅氧烷選自由環四硅氧烷和環己硅氧烷組成的組。

10.如權利要求9所述的壓印設備，其中硅烷官能團是烷基烷氧基硅烷。

11.如權利要求10所述的壓印設備，其中所述烷基烷氧基硅烷是乙基三乙氧基硅烷。

12.如前述權利要求中任一項所述的壓印設備，其中所述分子是：

13.如前述權利要求中任一項所述的壓印設備，其中所述抗粘層包括呈其純的形式的所述分子和所述分子的低聚物的混合物。

14.如前述權利要求中任一項所述的壓印設備，還包括與所述硅母體上的所述抗粘層接觸的硅基工作印模。

15.如權利要求14所述的壓印設備，其中所述硅基工作印模包括聚合的硅丙烯酸酯單體。

16.如權利要求14或權利要求15所述的壓印設備，還包括與所述工作印模接觸的背板。

17.如前述權利要求中任一項所述的壓印設備，其中所述分子不含氟。

18.一種方法，包括：

通過以下來形成母體模板：

在硅母體上沉積制劑，所述硅母體包括在其中限定的多于一個的納米特征，所述制劑包含溶劑和具有環硅氧烷的分子，所述環硅氧烷具有至少一個硅烷官能團；以及

固化所述制劑，從而在所述硅母體上形成抗粘層，所述抗粘層包括所述分子；

在所述母體模板的所述抗粘層上沉積硅基工作印模材料；

固化所述硅基工作印模材料以形成包括所述多于一個的納米特征的復制陰模的工作印模；以及

從所述母體模板中釋放所述工作印模。