[發(fā)明專利]細胞培養(yǎng)基材

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780079488.3
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN110114454A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高田哲生;櫻井直人;一色綾子;山東典子
• 申請（專利權(quán)）人: DIC株式會社
• 主分類號: C12M3/00
• 分類號: C12M3/00;C12N5/07
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種細胞培養(yǎng)基材，其特征在于，所述細胞培養(yǎng)基材含有具有最低臨界溶解溫度的聚合物，該基材含有選自水溶脹性粘土礦物和二氧化硅中的1種以上無機材料，進而基材中具有粘附基質(zhì)，該粘附基質(zhì)為細胞外基質(zhì)和/或粘附性合成基質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細胞培養(yǎng)基材，其中，細胞外基質(zhì)為選自層粘連蛋白、纖連蛋白、玻連蛋白、鈣粘著蛋白和它們的片段中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的細胞培養(yǎng)基材，其中，粘附性合成基質(zhì)為聚[2-(甲基丙烯酰氧基)乙基二甲基-(3-磺丙基)氫氧化銨]或負載有寡肽的聚合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的細胞培養(yǎng)基材，其中，具有最低臨界溶解溫度的聚合物是使均聚物具有最低臨界溶解溫度的單體聚合而得到的聚合物，均聚物具有最低臨界溶解溫度的單體為選自N-異丙基(甲基)丙烯酰胺、N-正丙基(甲基)丙烯酰胺、N-環(huán)丙基(甲基)丙烯酰胺、N-乙氧基乙基(甲基)丙烯酰胺、N-四氫糠基(甲基)丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N-乙基-N-甲基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N-甲基-N-正丙基丙烯酰胺、N-甲基-N-異丙基丙烯酰胺、N-丙烯酰基哌啶和N-丙烯酰基吡咯烷中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的細胞培養(yǎng)基材，其中，所述具有最低臨界溶解溫度的聚合物為下述式(1)所示的單體(a)與親水性的酰胺系乙烯基單體(b)的共聚物(B1)、所述單體(a)與下述式(2)所示的單體(c)的共聚物(B2)、或者單體(a)與下述式(3)所示的含有聚乙二醇鏈的單體(d)的共聚物(B3)中的至少一種，

具有最低臨界溶解溫度的聚合物相對于細胞培養(yǎng)基材整體的含有率為5量％～99質(zhì)量％，

式中，R₁表示氫原子或甲基，R₂表示碳原子數(shù)2～3的亞烷基，R₃表示碳原子數(shù)1～2的烷基，

式中，R₄表示氫原子或甲基，R₅表示碳原子數(shù)2～3的亞烷基，

式中，n表示2～20的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的細胞培養(yǎng)基材，其中，所述親水性的酰胺系乙烯基單體(b)為選自由N-取代(甲基)丙烯酰胺衍生物、N,N-二取代(甲基)丙烯酰胺衍生物和N-乙烯基吡咯烷酮組成的組中的至少一種單體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的細胞培養(yǎng)基材，其特征在于，還含有所述單體(a)的聚合物(A)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的細胞培養(yǎng)基材，其中，水溶脹性粘土礦物為選自水溶脹性鋰蒙脫石、水溶脹性蒙脫石、水溶脹性皂石和水溶脹性合成云母中的、在水介質(zhì)(W)中層狀剝離為1～10層的1種以上粘土礦物，所述二氧化硅為水分散性的膠態(tài)二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的細胞培養(yǎng)基材，其特征在于，在含有具有最低臨界溶解溫度的聚合物的細胞培養(yǎng)基材上，還具有選自明膠、膠原蛋白和/或白蛋白中的至少一種蛋白質(zhì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的細胞培養(yǎng)基材，其特征在于，按照具有最低臨界溶解溫度的聚合物、選自明膠、膠原蛋白和/或白蛋白中的至少一種蛋白質(zhì)、粘附基質(zhì)的順序?qū)盈B。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的細胞培養(yǎng)基材，其為干燥細胞培養(yǎng)基材。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的細胞培養(yǎng)基材，其特征在于，層疊在支撐體上。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的細胞培養(yǎng)基材，其中，平均膜厚為1000nm以下。