[發明專利]半導體激光模塊和半導體激光模塊的制造方法

有效

• 申請號: 201780079212.5
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN110088994B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 有賀麻衣子;稻葉悠介;山岡一樹;菅谷俊雄
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01S5/02326
• 分類號: H01S5/02326;H01S5/10;G02B6/42;H01S5/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉文海

1.一種半導體激光模塊，其特征在于，具備：

半導體激光元件；

波導型光功能元件，其具有波導，該波導使從所述半導體激光元件射出的激光射入該波導的入射端，并對該激光進行導波；以及

突起物，其設置于從所述半導體激光元件射出的激光的光路的關于所述入射端的延長線上。

2.根據權利要求1所述的半導體激光模塊，其特征在于，

進一步具備供所述波導型光功能元件固定的輔助座，所述突起物固定于所述輔助座上。

3.根據權利要求1所述的半導體激光模塊，其特征在于，

所述突起物固定于所述波導型光功能元件上。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光模塊，其特征在于，

所述波導型光功能元件的波導在所述入射端附近具有彎曲波導，所述波導型光功能元件整體相對于從所述半導體激光元件射出的激光的光路傾斜配置。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光模塊，其特征在于，

所述波導型光功能元件是將所射入的所述激光進行放大的半導體光放大器。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光模塊，其特征在于，

所述突起物呈半球狀的形狀。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光模塊，其特征在于，

所述突起物呈柱狀的形狀。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體激光模塊，其特征在于，

所述突起物由金屬形成。

9.根據權利要求8所述的半導體激光模塊，其特征在于，

所述突起物由金(Au)形成。

10.根據權利要求2所述的半導體激光模塊，其特征在于，

在所述半導體激光元件與所述波導型光功能元件之間配置準直透鏡和聚光透鏡，從所述半導體激光元件射出的激光經由所述準直透鏡和所述聚光透鏡，與所述波導型光功能元件的波導的入射端進行空間耦合。

11.根據權利要求10所述的半導體激光模塊，其特征在于，

由所述準直透鏡平行光化了的激光的直徑比所述波導型光功能元件的厚度大，

相對于所述輔助座來說，所述突起物的高度比所述波導型光功能元件的高度高。

12.一種半導體激光模塊，其特征在于，具備：

半導體激光元件；

波導型光功能元件，其具有波導，該波導使從所述半導體激光元件射出的激光射入該波導的入射端，并對該激光進行導波；以及

輔助座，其供所述波導型光功能元件和突起物一并固定，

所述突起物設置于從所述半導體激光元件射出的激光的光路的與關于所述入射端的延長線平行的直線上。