[發明專利]主軸線導航傳感器

在審

• 申請號: 201780078560.0
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN110088571A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 馬修·海因;丹尼爾·J·福斯特;拉居·維斯瓦納坦
• 申請（專利權）人: 波士頓科學醫學有限公司
• 主分類號: G01C21/00
• 分類號: G01C21/00;A61B5/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王小衡;王天鵬

1.一種傳感器配件，包括：

第一磁場傳感器，其包括第一基板和延伸第一長度的第一細長磁場傳感器組件；以及

第二磁場傳感器，其包括第二基板和延伸第二長度的第二細長磁場傳感器組件，其中，所述第二長度比所述第一長度短，

其中所述第一磁場傳感器相比所述第二磁場傳感器具有更大的對感測到的磁場的靈敏度。

2.根據權利要求1所述的傳感器配件，其中，所述第一細長磁場傳感器組件是第一磁通引導件，并且其中，所述第二細長磁場傳感器是第二磁通引導件。

3.根據權利要求2所述的傳感器配件，其中，所述第一磁場傳感器包括定位成鄰近所述第一磁通引導件的第一磁阻(MR)傳感元件，并且其中所述第二磁場傳感器包括定位成鄰近所述第二磁通引導件的第二MR傳感元件。

4.根據權利要求3所述的傳感器配件，其中所述第一MR傳感元件和第二MR傳感元件是巨磁阻傳感元件、穿隧磁阻傳感元件、霍爾效應傳感元件、超巨磁阻傳感元件、特異磁阻傳感元件和自旋霍爾傳感元件之一。

5.根據權利要求1所述的傳感器配件，其中所述第一細長磁場傳感器組件是第一各向異性磁阻(AMR)傳感元件，其中所述第二細長磁場傳感器組件是第二AMR傳感元件。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的傳感器配件，其中，所述第一磁場傳感器被配置為沿第一軸線感測磁場的第一分量，其中，所述第二磁場傳感器被配置為沿第二軸線感測所述磁場的第二分量。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的傳感器配件，其中，所述第一磁場傳感器和所述第二磁場傳感器耦接到公共基板。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的傳感器配件，還包括：

第三磁場傳感器，其包括第三基板和延伸第三長度的第三細長磁場傳感器組件，所述第三長度比所述第一長度短。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的傳感器配件，其中，所述第一磁場傳感器的靈敏度至少是所述第二磁場傳感器的兩倍。

10.一種系統，包括：

磁場發生器，其被配置為生成磁場；以及

探針，其具有縱軸線和定位于所述探針的遠端處或附近的傳感器配件，所述傳感器配件包括：

第一磁場傳感器，其沿所述縱軸線具有第一長度，以及

第二磁場傳感器，其沿所述縱軸線具有第二長度并且沿垂直于所述縱軸線的軸線具有第三長度，其中，所述第二長度比所述第一長度短，并且所述第三長度比所述第一長度短。

11.根據權利要求10所述的系統，其中所述第一磁場傳感器被配置為沿著所述縱軸線感測所述磁場的第一分量，其中所述第二磁場傳感器被配置為沿著第二軸線感測所述磁場的第二分量，并且其中所述第一磁傳感器對所述磁場的第一分量的靈敏度大于所述第二磁場傳感器相對于所述磁場的第二分量的靈敏度。

12.根據權利要求10-12中任一項所述的系統，其中所述第一磁場傳感器包括第一磁阻(MR)傳感元件，其中所述第二磁場傳感器包括第二MR傳感元件，其中所述第一MR傳感元件比所述第二MR傳感元件長。

13.根據權利要求10所述的系統，其中所述第一磁場傳感器包括第一磁通引導件，其中所述第二磁場傳感器包括第二磁通引導件，并且其中所述第一磁通引導件比所述第二磁通引導件長。

14.根據權利要求13所述的系統，其中所述第一磁場傳感器包括第一磁阻(MR)傳感元件，其中所述第二磁場傳感器包括第二MR傳感元件，并且其中所述第一磁場傳感器和所述第二磁場傳感器是巨磁阻傳感元件、穿隧磁阻傳感元件、霍爾效應傳感元件、超巨磁阻傳感元件、特異磁阻傳感元件和自旋霍爾傳感元件之一。

15.根據權利要求10-14中任一項所述的系統，還包括：

第三磁場傳感器，其被配置為沿著不同于所述縱軸線和所述第二軸線的第三軸線感測所述磁場的第三分量。