[發(fā)明專利]光刻設(shè)備及器件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780077686.6
• 申請(qǐng)日: 2017-11-01
• 公開（公告）號(hào): CN110088686B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·H·E·C·尤姆麥倫;F·德布爾努;K·庫(kù)依皮爾斯;H·H·A·雷姆彭斯;T·W·波萊;J·A·維埃拉薩拉斯;J·M·邦貝克;J·C·P·梅爾曼;G·L·加托比焦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張啟程

一種浸沒(méi)式光刻設(shè)備包括：支撐臺(tái)(WT)，配置成支撐具有至少一個(gè)目標(biāo)部分(C)的物體(W)；投影系統(tǒng)(PS)，配置成將圖案化的束投影至所述物體上；定位器(PW)，配置成相對(duì)于所述投影系統(tǒng)移動(dòng)所述支撐臺(tái)；液體限制結(jié)構(gòu)(12)，配置成使用通過(guò)形成在所述液體限制結(jié)構(gòu)中的一系列開口(60，300)進(jìn)入和/或離開所述液體限制結(jié)構(gòu)的流體流將液體限制至所述投影系統(tǒng)與所述物體和/或所述支撐臺(tái)的表面之間的浸沒(méi)空間；和控制器，配置成控制所述定位器使所述支撐臺(tái)遵循由一系列的運(yùn)動(dòng)構(gòu)成的路線來(lái)移動(dòng)和控制所述液體限制結(jié)構(gòu)，其中每一運(yùn)動(dòng)包括所述支撐臺(tái)相對(duì)于所述液體限制結(jié)構(gòu)移動(dòng)，使得從不在所述液體限制結(jié)構(gòu)下方移動(dòng)至在所述液體限制結(jié)構(gòu)下方的所述支撐臺(tái)的部分在所述液體限制結(jié)構(gòu)的前邊緣下方穿過(guò)和從在所述液體限制結(jié)構(gòu)下方移動(dòng)至不在所述液體限制結(jié)構(gòu)下方的所述支撐臺(tái)的部分在所述液體限制結(jié)構(gòu)的后邊緣下方穿過(guò)，所述控制器被調(diào)適以：預(yù)測(cè)在所述浸沒(méi)空間的邊緣越過(guò)所述物體的邊緣的所述系列的運(yùn)動(dòng)中的至少一個(gè)運(yùn)動(dòng)期間所述液體是否將被從所述浸沒(méi)空間損失，和如果預(yù)測(cè)到從所述浸沒(méi)空間的液體損失，則修改所述流體流，使得在被預(yù)測(cè)到液體損失的運(yùn)動(dòng)或被預(yù)測(cè)到液體的損失的所述運(yùn)動(dòng)后續(xù)的所述系列運(yùn)動(dòng)中的運(yùn)動(dòng)期間進(jìn)入或離開在所述流體限制結(jié)構(gòu)的前邊緣處的所述系列開口中的開口的第一流體流量不同于進(jìn)入或離開在所述浸沒(méi)限制結(jié)構(gòu)的后邊緣處的所述系列開口中的開口的第二流體流量。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年12月14日遞交的歐洲中請(qǐng)16203967.1和2017年3月27日遞交的歐洲申請(qǐng)17163003.1的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用將其全文并入本發(fā)明中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和使用光刻設(shè)備制造器件的方法。

背景技術(shù)

光刻設(shè)備是一種將所期望的圖案施加到襯底上(通常施加到襯底的目標(biāo)部分上)的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情形下，可以將可替代地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成于所述IC的單個(gè)層上的電路圖案。可以將所述圖案轉(zhuǎn)印到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。所述圖案的轉(zhuǎn)印典型地經(jīng)由將圖案成像到設(shè)置于襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層來(lái)進(jìn)行。通常，單個(gè)襯底將包括被連續(xù)地形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括：所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與所述方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。

在浸沒(méi)式光刻設(shè)備中，通過(guò)液體限制結(jié)構(gòu)將液體限制至浸沒(méi)空間。浸沒(méi)空間在通過(guò)其使圖案成像的投影系統(tǒng)的最終光學(xué)元件與圖案被轉(zhuǎn)印到的襯底上或襯底被保持在其上的襯底臺(tái)之間。液體可以通過(guò)流體密封件限制至浸沒(méi)空間。液體限制結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生或使用氣流，例如以幫助控制液體在浸沒(méi)空間中的流動(dòng)和/或位置。氣流可以幫助形成密封以將液體限制至浸沒(méi)空間。

施加至襯底的圖案中的缺陷是不期望的，這是因?yàn)樗鼈兘档土肆悸剩矗總€(gè)襯底可用的器件的數(shù)量。因?yàn)樾枰S多圖案形成步驟來(lái)制造器件，所以甚至每次曝光的非常低的缺陷率可以顯著地降低良率。存在兩種浸沒(méi)式光刻設(shè)備所特有的缺陷。

來(lái)自浸沒(méi)空間的液體滴或液體膜(在下述中提及的滴也涵蓋膜；膜為覆蓋較大表面積的滴)可以在目標(biāo)部分的曝光之后留在襯底上。如果所述滴與抗蝕劑接觸了顯著的時(shí)間段，則其可以通過(guò)浸出而使抗蝕劑分解。如果所述滴蒸發(fā)，則其可能留下碎屑和/或可以引起局部冷卻。由滴留在襯底上而導(dǎo)致的缺陷(無(wú)論是通過(guò)抗蝕劑分解或蒸發(fā))在本文中被稱為蹤跡缺陷。

如果氣泡形成于浸沒(méi)液體中，則發(fā)生對(duì)于浸沒(méi)式光刻設(shè)備所特有的第二種形式的缺陷。如果氣泡移動(dòng)到用于將圖案形成裝置的圖像投影至襯底上的投影束的路徑中，則所投影圖像將失真。氣泡的一種來(lái)源是當(dāng)在浸沒(méi)空間與襯底之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)期間在襯底上的所逃逸的液體與浸沒(méi)空間中的液體碰撞時(shí)。由氣泡造成的缺陷在本文中被稱為曝光缺陷。

蹤跡缺陷和曝光缺陷可能造成對(duì)于除襯底以外的物體(諸如傳感器)的問(wèn)題。