[發明專利]光刻設備及器件制造方法

有效

• 申請號: 201780077686.6
• 申請日: 2017-11-01
• 公開（公告）號: CN110088686B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: E·H·E·C·尤姆麥倫;F·德布爾努;K·庫依皮爾斯;H·H·A·雷姆彭斯;T·W·波萊;J·A·維埃拉薩拉斯;J·M·邦貝克;J·C·P·梅爾曼;G·L·加托比焦
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種用于光刻設備的流體處理結構，所述流體處理結構具有包括形成在其中的第一系列開口的抽取器、包括形成在其中的第二系列開口且在所述抽取器徑向外部的氣刀系統、和配置成在所述抽取器與所述氣刀系統之間提供氣體的至少一個另外的開口，

第一系列開口、第二系列開口和所述至少一個另外的開口被朝向襯底和/或被配置成支撐所述襯底的支撐臺指向，其中所述第一系列開口、所述第二系列開口和所述至少一個另外的開口的第一子組與第一腔室流體連通，所述第一系列和所述第二系列開口和所述至少一個另外的開口的第二子組與第二腔室流體連通。

2.根據權利要求1所述的流體處理結構，其中通過所述第二系列開口和至少一個另外的開口的流體流量能夠根據所述支撐臺的移動的方向進行控制。

3.根據權利要求2所述的流體處理結構，其中所述流體流量在所述流體處理結構的前邊緣處被增大以便于將在所述流體處理結構的路徑中保留在所述支撐臺上的浸沒流體推離，或其中所述流體流量被減小由此允許在所述流體處理結構的路徑中的浸沒流體被重新吸收到浸沒空間中或通過所述第一系列開口被抽取。

4.根據權利要求2所述的流體處理結構，其中所述流體流量在所述流體處理結構的后邊緣處被增大使得較不發生浸沒流體的泄漏。

5.根據權利要求1所述的流體處理結構，包括被結合在一起的第一構件和第二構件以便于限定它們之間的所述第一腔室和所述第二腔室。

6.根據權利要求5所述的流體處理結構，其中所述第二構件包括在所述第二系列開口的兩個相鄰的開口之間從所述第二系列開口的一側延伸到所述第二系列開口的另一側的一部分。

7.根據權利要求6所述的流體處理結構，其中凹陷被形成在所述第一構件中與所述部分從所述第二腔室突出的第一側相對的所述第二系列開口的第二側上，使得所述部分延伸到所述凹陷中。

8.根據權利要求7所述流體處理結構，其中在所述第二系列開口的所述兩個相鄰的開口之間的所述部分的第一部比在所述凹陷中的所述部分的第二部更薄。

9.根據權利要求6、7或8所述的流體處理結構，其中腔體被形成，且所述腔體的側面被部分地限定在所述部分中和被部分地限定在所述第一構件中。

10.根據權利要求9所述的流體處理結構，還包括定位在所述腔體中的第三構件以便于在所述第一腔室和第二腔室之間形成密封件。

11.根據權利要求7或8所述的流體處理結構，其中所述部分的前邊緣和所述凹陷具有一起構造成形成迷宮式密封件的互補表面。