[發明專利]曝光裝置、襯底處理裝置、襯底曝光方法及襯底處理方法有效
| 申請號: | 201780077239.0 | 申請日: | 2017-10-04 |
| 公開(公告)號: | CN110100301B | 公開(公告)日: | 2023-07-21 |
| 發明(設計)人: | 福本靖博;大木孝文;松尾友宏;淺井正也;春本將彥;田中裕二;中山知佐世 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 裝置 襯底 處理 方法 | ||
本發明的曝光裝置(100)具備投光部(160)、照度計(183)、遮光部(190)、投光控制部(12)。通過投光部向襯底(W)的被處理面照射真空紫外線。在從投光部向襯底照射真空紫外線的照射期間,通過照度計接收一部分真空紫外線,并計測所接收到的真空紫外線的照度。在照射期間,通過遮光部斷斷續續地遮擋真空紫外線向照度計的受光面的入射。基于通過照度計所計測出的照度,使投光部停止向襯底照射真空紫外線。
技術領域
本發明涉及一種對襯底進行曝光處理的曝光裝置、襯底處理裝置、襯底曝光方法及襯底處理方法。
背景技術
近年來,為了使形成于襯底的圖案微細化,持續開發著利用嵌段共聚物的定向自組裝(DSA:Directed?Self?Assembly)的光刻技術。在這種光刻技術中,對涂布有嵌段聚合物的襯底實施加熱處理后,襯底的一面被曝光,由此嵌段聚合物被改質。在該處理中,要求準確調整襯底的曝光量。
專利文獻1中記載有一種對襯底上的含有定向自組裝材料的膜(DSA膜)進行曝光處理的曝光裝置。曝光裝置具有能出射截面呈帶狀的真空紫外線的光出射部,且構成為能使襯底以橫切來自光出射部的真空紫外線的路徑的方式從光出射部的前方位置向后方位置移動。在曝光處理前,真空紫外線的照度已通過照度傳感器預先檢測獲得,基于所檢測出的照度,以照射所希望的曝光量的真空紫外線為目標,計算出襯底的移動速度。在曝光處理時,襯底以所計算出的移動速度移動,由此對襯底上的DSA膜照射所希望的曝光量的真空紫外線。
專利文獻1:日本專利特開2016-183990號公報
發明內容
[發明要解決的問題]
若長時間使用曝光裝置,則照度傳感器會劣化,并且其特性會變化。因此,照度傳感器的更換及維護的頻率增加。若頻繁進行照度傳感器的更換或維護,則曝光裝置的運用成本會增加,并且會因為曝光裝置的停運時間長期化而導致運轉效率降低。
本發明的目的在于,提供一種能提高運轉效率的曝光裝置、襯底處理裝置、曝光方法及襯底處理方法。
[解決問題的技術手段]
(1)本發明的一態樣的曝光裝置具備:投光部,以能向襯底的被處理面照射真空紫外線的方式設置;照度計,具有在從投光部向襯底照射真空紫外線的照射期間接收一部分真空紫外線的受光面,計測所接收到的真空紫外線的照度;遮光部,在照射期間斷斷續續地遮擋真空紫外線向照度計的受光面的入射;及投光控制部,以向襯底照射真空紫外線的方式控制投光部,并且基于通過照度計所計測出的照度,以停止向襯底照射真空紫外線的方式控制投光部。
在該曝光裝置中,通過投光部向襯底的被處理面照射真空紫外線。在從投光部向襯底照射真空紫外線的照射期間,通過照度計接收一部分真空紫外線,并計測所接收到的真空紫外線的照度。在照射期間,通過遮光部斷斷續續地遮擋真空紫外線向照度計的受光面的入射。基于通過照度計所計測出的照度,使投光部停止向襯底照射真空紫外線。
根據該構成,真空紫外線斷斷續續地向照度計照射,因此照度計的劣化速度降低。因此,照度計的壽命變長。于是,無需頻繁進行照度計的更換及維護。由此,能降低曝光裝置的運用成本,并且使曝光裝置的停運時間最小化。結果,能提高曝光裝置的運轉效率。
(2)也可為:照度計設置于在照射期間能接收到來自投光部的一部分真空紫外線的位置,且遮光部包含:遮光部件,能以在照射期間斷斷續續地遮擋真空紫外線向照度計的受光面的入射的方式移動;及第1驅動部,使遮光部件移動。在這種情況下,能以簡單的構成斷斷續續地遮擋真空紫外線向照度計的受光面的入射。
(3)也可為:遮光部包含使照度計交替地移動至第1位置與第2位置的第2驅動部,該第1位置是在照射期間能接收到來自投光部的一部分真空紫外線的位置,該第2位置是不能接受到來自投光部的真空紫外線的位置。在這種情況下,能以簡單的構成斷斷續續地遮擋真空紫外線向照度計的受光面的入射。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





