[發明專利]在相關電子材料器件中形成成核層在審
| 申請號： | 201780076883.6 | 申請日： | 2017-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN110073506A | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發明（設計）人： | 金柏莉·蓋伊·里德;盧西恩·斯弗恩 | 申請（專利權）人： | ARM有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 林強 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 英國;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電 襯底 金屬前驅物 貴金屬 電子材料 氣態形式 成核層 還原劑 沉積 電子材料器件 過渡金屬 開關功能 剩余金屬 前驅物 配體 生長 暴露 轉化 制造 | ||
1.一種相關電子材料(CEM)器件，包括：
導電襯底，該導電襯底包括具有原子濃度的如下項：貴金屬、兩種或更多種貴金屬的合金、或由足以引起所述襯底的主要導電性能的至少一種貴金屬的氧化物形成的材料；以及
第一成核層，該第一成核層形成在所述導電襯底的表面上，以允許在所述導電襯底之上沉積一層或多層CEM膜。
2.根據權利要求1所述的CEM器件，進一步包括：
第二成核層，該第二成核層形成在所述CEM膜的表面上，該第二成核層允許在所述第二成核層上沉積導電覆蓋層。
3.根據權利要求1或2所述的CEM器件，其中，所述CEM膜包括在約0.1％至15.0％之間的摻雜物濃度，并且其中，所述第一成核層包括至少50.0％的原子濃度的形成所述CEM膜的金屬物質。
4.根據前述權利要求中的任一項所述的CEM器件，其中，所述第一成核層由與所述CEM膜的金屬物質相同的金屬物質形成。
5.根據前述權利要求中的任一項所述的CEM器件，其中，所述第一成核層包括形成在所述導電襯底的所述表面之上的單層。
6.根據權利要求1所述的CEM器件，其中，所述第一成核層包括形成在所述導電襯底的所述表面之上的子單層。
7.根據前述權利要求中的任一項所述的CEM器件，其中，所述第一成核層包括約在至范圍內的厚度。
8.根據前述權利要求中的任一項所述的CEM器件，其中，所述第一成核層包括約在至范圍內的厚度。
9.根據前述權利要求中的任一項所述的CEM器件，其中，所述第一成核層包括導電材料。
10.根據前述權利要求中的任一項所述的CEM器件，其中，所述導電襯底包括至少50.0％的原子濃度的所述貴金屬、或所述貴金屬合金、或所述至少一種貴金屬的氧化物。
11.一種構建相關電子材料(CEM)器件的方法，包括：
在室中形成導電襯底，該導電襯底包括具有原子濃度的如下項：貴金屬、兩種或更多種貴金屬的合金、或由足以引起所述襯底的主要導電性能的至少一種貴金屬的氧化物形成的材料；
在所述導電襯底上形成一個或多個第一成核層；以及
在所述一個或多個成核層上形成CEM膜。
12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：
在所述CEM膜上形成一個或多個第二成核層；并且
在所述一個或多個第二成核層之上形成導電覆蓋層。
13.根據權利要求11或12所述的方法，其中，在所述一個或多個成核層上形成所述CEM膜包括：經由原子層沉積工藝沉積一層或多層CEM。
14.根據權利要求11至13中的任一項所述的方法，其中，所述一個或多個第一成核層包括導電材料，該導電材料包括具有至少約50.0％的原子濃度的過渡金屬或過渡金屬氧化物。
15.根據權利要求11至14中的任一項所述的方法，其中，所述一個或多個第一成核層包括導電材料的子單層，該導電材料的子單層包括至少約50.0％的原子濃度的貴金屬或包括至少50.0％金屬的貴金屬氧化物。
16.根據權利要求11至15中的任一項所述的方法，其中，形成所述導電襯底包括沉積一個或多個層，該一個或多個層具有至少約50.0％的原子濃度的所述貴金屬、或所述貴金屬合金、或足以引起所述襯底的主要導電性能的所述至少一種貴金屬的氧化物。
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