[發(fā)明專利]在相關(guān)電子材料器件中形成成核層在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780076883.6 | 申請日: | 2017-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN110073506A | 公開(公告)日: | 2019-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金柏莉·蓋伊·里德;盧西恩·斯弗恩 | 申請(專利權(quán))人: | ARM有限公司 |
| 主分類號: | H01L45/00 | 分類號: | H01L45/00 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 林強 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 襯底 金屬前驅(qū)物 貴金屬 電子材料 氣態(tài)形式 成核層 還原劑 沉積 電子材料器件 過渡金屬 開關(guān)功能 剩余金屬 前驅(qū)物 配體 生長 暴露 轉(zhuǎn)化 制造 | ||
本技術(shù)一般涉及結(jié)合制造相關(guān)電子材料形成成核層,該相關(guān)電子材料例如用于執(zhí)行開關(guān)功能。在實施例中,描述了使用氣態(tài)形式的金屬前驅(qū)物將過渡金屬例如沉積在包括貴金屬的導(dǎo)電襯底上的過程。導(dǎo)電襯底可以暴露于還原劑,還原劑可以操作用于將金屬前驅(qū)物的配體轉(zhuǎn)化為氣態(tài)形式。沉積在貴金屬上的前驅(qū)物的剩余金屬部分可允許在導(dǎo)電襯底之上生長CEM膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本技術(shù)一般涉及相關(guān)電子器件,并且可以更具體地涉及用于制造相關(guān)電子器件的方法,相關(guān)電子器件例如可以用在開關(guān)、存儲器電路等中,其可以表現(xiàn)出期望的阻抗特性。
背景技術(shù)
諸如電子開關(guān)器件的集成電路器件可以在各種電子器件類型中找到。例如,存儲器和/或邏輯器件可以包括適用于計算機、數(shù)碼相機、智能電話、平板設(shè)備、個人數(shù)字助理等的電子開關(guān)。在考慮電子開關(guān)器件是否適合于特定應(yīng)用時,設(shè)計者可能感興趣的與電子開關(guān)器件有關(guān)的因素可包括例如物理尺寸、存儲密度、操作電壓、阻抗范圍和/或功耗。設(shè)計者可能感興趣的其他因素可包括例如制造成本、易于制造性、可擴展性和/或可靠性。此外,似乎對于展現(xiàn)出較低功率和/或較高速度特性的存儲器和/或邏輯器件的需求不斷增加。然而,可能非常適合于某些類型的存儲器和/或邏輯器件的傳統(tǒng)制造技術(shù)可能不完全適合用于制造利用相關(guān)電子材料的器件。
附圖說明
在說明書的結(jié)論部分中特別指出并清楚地要求所要保護(hù)的主題。然而,關(guān)于組織和/或操作方法及其目的、特征和/或優(yōu)點,可以通過結(jié)合附圖閱讀并參考以下詳細(xì)描述來理解,其中:
圖1A是由相關(guān)電子材料形成的器件的電流密度與電壓分布的實施例的圖示;
圖1B是包括相關(guān)電子材料的開關(guān)器件的實施例的圖示以及相關(guān)電子材料開關(guān)的等效電路的示意圖;
圖2A-2C示出了試圖在導(dǎo)電襯底上形成CEM器件的子過程的實施例200;
圖3A-3G示出了利用原子層沉積方法中的氣態(tài)前驅(qū)物在導(dǎo)電襯底上形成成核層的子過程的實施例;以及
圖4是用于在導(dǎo)電襯底上形成成核層的過程的實施例的流程圖。
具體實施方式
在以下對附圖的詳細(xì)描述中參考了附圖,附圖形成了本發(fā)明的一部分,其中相同的附圖標(biāo)記可以表示貫穿附圖中相應(yīng)的和/或類似的相同部分。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到,附圖不一定按比例繪制,例如為了說明的簡單和/或清楚。例如,一些實施例的尺寸可能相對于其他實施例被夸大。此外,應(yīng)該理解,可以使用其他實施例。此外,在不脫離所要求保護(hù)的主題的情況下,可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)和/或其他改變。本說明書中對“要求保護(hù)的主題”的引用是指旨在由一個或多個權(quán)利要求或其任何部分涵蓋的主題,并且不一定旨在表示完整的權(quán)利要求集、對權(quán)利要求集的特定組合(例如,方法權(quán)利要求,裝置權(quán)利要求等)或特定權(quán)利要求。還應(yīng)注意,例如,諸如上、下、頂部、底部等的方向和/或參考可用于促進(jìn)對附圖的討論,并且不旨在限制所要求保護(hù)的主題的應(yīng)用。因此,以下詳細(xì)描述不應(yīng)被視為限制所要求保護(hù)的主題和/或等同物。
貫穿本說明書對一個實現(xiàn)方式、實現(xiàn)方式、一個實施例、實施例等的提及意味著結(jié)合特定實現(xiàn)方式和/或?qū)嵤├枋龅奶囟ㄌ卣鳌⒔Y(jié)構(gòu)和/或特性等包括在所要求保護(hù)的主題的至少一個實現(xiàn)方式和/或?qū)嵤├小R虼耍纾谡麄€說明書中的各個地方出現(xiàn)這樣的短語不一定旨在提及相同的實現(xiàn)方式和/或?qū)嵤├蛉魏我粋€特定實現(xiàn)方式和/或?qū)嵤├4送猓瑧?yīng)當(dāng)理解,所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)和/或特性等能夠在一個或多個實現(xiàn)方式和/或?qū)嵤├幸愿鞣N方式組合,并且因此在預(yù)期的權(quán)利要求范圍內(nèi)。當(dāng)然,一般來說,如同本申請說明書的情況一樣,這些和其他問題有可能因特定使用情境而異。換句話說,貫穿本公開,特定的描述和/或使用情況的上下文提供了關(guān)于要作出的合理推論的有用指導(dǎo);然而,類似地,“在本上下文中”在沒有進(jìn)一步限定的情況下一般指本公開的上下文。
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