[發(fā)明專利]氮化硅粉末、多晶硅鑄錠用脫模劑及多晶硅鑄錠的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780076711.9 | 申請日： | 2017-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN110049946A | 公開（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王丸卓司;柴田耕司;山尾猛;山田哲夫 | 申請（專利權(quán)）人： | 宇部興產(chǎn)株式會社 |
| 主分類號： | C01B21/068 | 分類號： | C01B21/068;C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶硅鑄錠 氮化硅粉末 脫模劑 氮化硅 峰頂 熔融 頻率分布曲線 單向凝固 粒度分布 脫模性 微晶 升高 制造 | ||
1.一種氮化硅粉末，其特征在于，利用BET法測定的比表面積為2m2/g以上且13m2/g以下，
β型氮化硅的比例為50質(zhì)量％以上，
將使用Williamson-Hall式由β型氮化硅的粉末X射線衍射圖案算出的β型氮化硅的微晶直徑設(shè)為DC時，DC為150nm以上，
將由所述比表面積算出的比表面積當量直徑設(shè)為DBET時，DBET/DC(nm/nm)為3以下，
通過基于激光衍射散射法的體積基準的粒度分布測定而得到的頻率分布曲線具有兩個峰，
該峰的峰頂處于0.5～2μm的范圍和6～30μm的范圍，
所述峰頂?shù)念l率之比即粒徑0.5～2μm的范圍的峰頂?shù)念l率/粒徑6～30μm的范圍的峰頂?shù)念l率為0.1～1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅粉末，其特征在于，使用Williamson-Hall式由β型氮化硅的粉末X射線衍射圖案算出的β型氮化硅的結(jié)晶應(yīng)變?yōu)?.5×10-4以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化硅粉末，其特征在于，所述峰頂處于0.5～2μm的范圍和9～30μm的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的氮化硅粉末，其特征在于，β型氮化硅的比例為70質(zhì)量％以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的氮化硅粉末，其特征在于，所述比表面積為2m2/g以上且10m2/g以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的氮化硅粉末，其特征在于，F(xiàn)e的含有比例為100ppm以下，
Al的含有比例為100ppm以下，
除Fe及Al以外的金屬雜質(zhì)的含有比例合計為100ppm以下。
7.一種多晶硅鑄錠用脫模劑，其包含權(quán)利要求1～6中任一項所述的氮化硅粉末。
8.一種硅鑄錠的制造方法，其特征在于，其為使容納在鑄模內(nèi)的熔融硅凝固的硅鑄錠的制造方法，作為所述鑄模，使用在與所述熔融硅的接觸面上涂布有權(quán)利要求1～6中任一項所述的氮化硅粉末的鑄模。
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