[發(fā)明專利]基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780076699.1
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN110073473B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 德永容一
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/304
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

基片處理裝置(10)包括：保持晶片(W)并使其旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)保持部(21)；對由旋轉(zhuǎn)保持部(21)保持的晶片(W)的周緣部(We)供給處理液的液供給部(22)；檢測周緣部(We)的溫度分布的傳感器(23)；和控制裝置(4)，其構(gòu)成為能夠執(zhí)行如下動作：基于溫度分布，來檢測周緣部(We)中附著處理液的區(qū)域與未附著處理液的區(qū)域的邊界部(B1、B2)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種液處理裝置，其用于通過供給處理液來除去基片的周緣部的膜。該液處理裝置構(gòu)成為能夠拍攝進(jìn)行了液處理之后的周緣部的狀態(tài)，基于該拍攝結(jié)果求取膜的除去寬度，使處理液的供給位置移動來調(diào)節(jié)膜的除去寬度。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-168429號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

在專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成中，需要在至少完成對一個基片的液處理之后，使用該基片來測量除去寬度。因此，當(dāng)除去寬度的測量結(jié)果不在容許范圍內(nèi)時等，存在不能有效利用該除去寬度的測量中使用的基片的可能性。因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠在執(zhí)行液處理的期間檢測關(guān)于實施液處理的區(qū)域的信息的基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質(zhì)。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的一方面的基片處理裝置包括：保持基片并使其旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)保持部；對由旋轉(zhuǎn)保持部保持的基片的周緣部供給處理液的液供給部；檢測周緣部的溫度分布的傳感器；和控制裝置，其構(gòu)成為能夠執(zhí)行如下動作：基于溫度分布，來檢測周緣部中附著處理液的區(qū)域與未附著處理液的區(qū)域的邊界部。

發(fā)明效果

依照本發(fā)明，能夠在執(zhí)行液處理的期間檢測關(guān)于實施液處理的區(qū)域的信息。

附圖說明

圖1是表示本實施方式的基片處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。

圖2是表示基片處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖3是圖2中的處理單元的俯視圖。

圖4是表示基片處理順序的流程圖。

圖5是表示基片處理順序的流程圖。

圖6是表示對晶片W供給藥液的狀態(tài)的示意圖。

圖7是表示對晶片W供給沖洗液的狀態(tài)的示意圖。

圖8是表示晶片的周緣部的溫度隨時間變化的圖表。

具體實施方式

以下，參照附圖，對實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。在說明中，對相同要素或具有相同功能的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略重復(fù)的說明。

圖1是表示本實施方式的基片處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。在以下的說明中，為了明確位置關(guān)系，規(guī)定相互正交的X軸、Y軸和Z軸，以Z軸正向為鉛垂向上方向。如圖1所示，基片處理系統(tǒng)1包括送入送出站2和處理站3。送入送出站2與處理站3相鄰設(shè)置。

送入送出站2包括載體載置部11和輸送部12。在載體載置部11載置以水平狀態(tài)收納多個基片(在本實施方式中為半導(dǎo)體晶片(以下為晶片W))的多個載體C。

輸送部12與載體載置部11相鄰設(shè)置，在內(nèi)部設(shè)有基片輸送裝置13和交接部14。基片輸送裝置13包括保持晶片W的晶片保持機構(gòu)。此外，基片輸送裝置13能夠向水平方向和鉛垂方向移動并且以鉛垂軸為中心回轉(zhuǎn)，使用晶片保持機構(gòu)在載體C與交接部14之間輸送晶片W。