[發明專利]基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質

有效

• 申請號: 201780076699.1
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN110073473B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 德永容一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/304
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

保持基片并使其旋轉的旋轉保持部；

對由所述旋轉保持部保持的所述基片的周緣部供給處理液的液供給部；

檢測所述周緣部的溫度分布的傳感器；和

控制裝置，其構成為能夠執行如下動作：基于所述溫度分布，來檢測所述周緣部中附著所述處理液的區域與未附著所述處理液的區域的邊界部。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括擴大附著到所述基片前的所述處理液與所述基片之間的溫度差的調溫部。

3.如權利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述調溫部包括對所述基片進行加熱的加熱部。

4.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述傳感器以在所述處理液到達所述基片的位置的附近，檢測位于所述基片旋轉的方向的區域的溫度分布的方式設置。

5.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括調節所述處理液到達所述基片的位置的位置調節部，

所述控制裝置構成為還能夠執行如下動作：

在檢測到所述邊界部之后，對所述基片供給處理液的期間，控制所述位置調節部以使得基于所述邊界部的位置來調節所述處理液到達所述基片的位置。

6.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

保持基片并使其旋轉的步驟；

對旋轉中的所述基片的周緣部供給處理液的步驟；

檢測所述周緣部的溫度分布的步驟；和

基于所述溫度分布，來檢測所述周緣部中附著所述處理液的區域與未附著所述處理液的區域的邊界部的步驟。

7.如權利要求6所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括擴大附著到所述基片前的所述處理液與所述基片之間的溫度差的步驟。

8.如權利要求7所述的基片處理方法，其特征在于：

擴大附著到所述基片前的所述處理液與所述基片之間的溫度差的步驟，包括對所述基片進行加熱的步驟。

9.如權利要求6所述的基片處理方法，其特征在于：

檢測周緣部的溫度分布的步驟，包括在所述區域在所述處理液到達所述基片的位置的附近，檢測位于所述基片旋轉的方向的區域的溫度分布的步驟。

10.如權利要求6所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在檢測到所述邊界部之后，對所述基片供給處理液的期間，基于所述邊界部的位置來調節所述處理液到達所述基片的位置的步驟。

11.一種計算機可讀取的存儲介質，其特征在于：

記錄有用于使裝置執行權利要求6所述的基片處理方法的程序。