[發明專利]甲硅烷基橋聯烷基化合物用于致密OSG膜的用途

在審

• 申請號: 201780075999.8
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN110073030A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韋;J·L·A·阿赫蒂爾;W·R·恩特雷;D·西納托雷;K·E·希爾多歐;A·J·亞當齊克
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/34;C23C16/32;C23C16/30;C23C16/50;C23C16/56;C23C16/448;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐志明

1.一種用于在襯底的至少一部分上沉積有機硅酸鹽膜的化學氣相沉積方法，所述方法包括以下步驟：

在真空室內提供襯底；

向所述真空室中引入氣態結構形成組合物，所述組合物包含至少一種選自式(I)和式(II)的有機硅前體：

其中，

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆各自獨立地選自-CH₃和-OR₈，其中R₈是C₁-C₄烷基；

R₇為H或-CH₃；

x為1或2；和

n為1、2、3或4，其中當n為1時，至少一個R₇為-CH₃；

將能量施加至所述真空室中的所述氣態結構形成組合物以引發所述至少一種有機硅前體的反應從而在所述襯底的至少一部分上沉積膜。

2.權利要求1所述的化學氣相沉積方法，其中所述膜具有2.8和3.5之間的介電常數。

3.權利要求1所述的化學氣相沉積方法，其中所述能量是等離子體能量。

4.權利要求1所述的化學氣相沉積方法，其還包括對所述膜進行包括UV輻射的后處理的步驟。

5.權利要求4所述的化學氣相沉積方法，其中所述膜具有2.8和3.5之間的介電常數。

6.權利要求1所述的化學氣相沉積方法，其還包括對所述膜進行包括熱的后處理的步驟。

7.權利要求4所述的化學氣相沉積方法，其中所述UV處理在升高的溫度下，優選200-500℃下進行。

8.權利要求4所述的化學氣相沉積方法，其中所述UV處理在反應性環境中進行，例如在O₂、H₂或NH₃的存在下進行。

9.權利要求1所述的化學氣相沉積方法，其中所述至少一種有機硅前體是式I的前體。

10.權利要求9所述的化學氣相沉積方法，其中所述至少一種有機硅前體是選自以下的至少一種前體：1,1,1,3,3-五甲氧基-2-甲基-1,3-二硅雜丁烷(PMOM-DSB)、1,2-雙(甲基二甲氧基甲硅烷基)乙烷、1,2-雙(三甲氧基甲硅烷基)乙烷、1,2-雙(二甲氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-雙(三甲氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-雙(甲基二甲氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-雙(二甲氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-二甲基-1,1-雙(三甲氧基甲硅烷基)甲烷、1,1-二甲基-1,1-雙(甲基二甲氧基甲硅烷基)甲烷、1,1-二甲基-1,1-雙(二甲氧基甲硅烷基)甲烷、1,1,1,3,3-五乙氧基-2-甲基-1,3-二硅雜丁烷、1,2-雙(甲基二乙氧基甲硅烷基)乙烷、1,2-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、1,2-雙(二乙氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-雙(甲基二乙氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-雙(二乙氧基甲硅烷基)乙烷、1,1-二甲基-1,1-雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、1,1-二甲基-1,1-雙(甲基二乙氧基甲硅烷基)甲烷和1,1-二甲基-1,1-雙(二乙氧基甲硅烷基)甲烷。

11.權利要求1所述的化學氣相沉積方法，其中所述至少一種有機硅前體是式2的前體。