[發(fā)明專利]在壓印光刻工藝中配置光學層

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780074523.2
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN110023234A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設計）人: V·辛格;M·N·米勒;F·Y·徐
• 申請（專利權(quán)）人: 分子印記公司
• 主分類號: B82Y10/00
• 分類號: B82Y10/00;B82Y20/00;B82Y40/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛曉玲;吳鵬

配置光學層的壓印光刻方法包括利用圖案化模板在襯底的一面上壓印具有第一數(shù)量級的尺寸的第一特征，同時利用圖案化模板在襯底的該面上壓印具有第二數(shù)量級的尺寸的第二特征，第二特征尺寸確定且布置成在襯底與相鄰表面之間限定一間隙。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2016年12月2日提交的美國臨時申請No.62/429,214的申請日的權(quán)益。美國申請No.62/429,214的內(nèi)容通過引用整體并入本文。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及在壓印光刻工藝中配置光學層，更具體地涉及在一個加工工序中在襯底/基板上形成尺寸為不同數(shù)量級的特征。

背景技術(shù)

納米制造(例如，納米壓印光刻)可以包括制造具有約100納米或更小的特征的非常小的結(jié)構(gòu)。納米制造產(chǎn)生重大影響的一個應用是集成電路的處理。半導體加工行業(yè)持續(xù)爭取更大的產(chǎn)量，同時增加襯底的每單位面積在襯底上形成的電路數(shù)量。為此，納米制造對于在半導體加工行業(yè)中實現(xiàn)期望結(jié)果變得越來越重要。納米制造提供了更好的工藝控制，同時允許持續(xù)減小在襯底上形成的結(jié)構(gòu)的最小特征尺寸。已經(jīng)采用納米制造的其它開發(fā)領域包括生物技術(shù)、光學技術(shù)、機械系統(tǒng)等。在一些示例中，納米制造包括在襯底上制造被組裝以形成光學器件的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及以下認識：在襯底上壓印三維(3D)圖案的改進可以提高準確度和精度，同時降低與產(chǎn)生這種圖案相關(guān)的成本和復雜性。常規(guī)壓印光刻工藝可包括在第一工序中在襯底上壓印納米級圖案，并且隨后在第二后續(xù)工序中在襯底上壓印更大數(shù)量級的特征。對于這樣的工藝，在形成較大特征之前可能需要清潔和處理納米級圖案，這與額外的成本和額外的時間相關(guān)。此外，在后續(xù)工序中形成較大特征的方面有時會危害納米圖案化襯底的機械完整性和/或功能完整性。在這方面，所公開的壓印光刻方法的各個方面可以允許在單個壓印工序中壓印具有不同數(shù)量級的特征的3D結(jié)構(gòu)，所述特征具有多個功能(例如，光學功能、抗反射和間隔中的任何一個)。與替代方法相比，這些方法以降低的成本和持續(xù)時間產(chǎn)生精確、準確的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的一個方面的特征在于一種配置光學層的壓印光刻方法。該壓印光刻方法包括利用圖案化模板在襯底的一面上壓印具有第一數(shù)量級的尺寸的第一特征，同時利用圖案化模板在襯底的該面上壓印具有第二數(shù)量級的尺寸的第二特征，其中，第二特征尺寸確定且布置成在襯底與相鄰表面之間限定一間隙。

在一些實施例中，壓印第一特征包括在襯底的該面上形成衍射光柵和抗反射特征中的一者或兩者。

在某些實施例中，壓印第二特征包括在襯底的該面上形成間隔物。

在一些實施例中，該方法還包括沿著襯底的該面的外圍邊緣壓印間隔物和抗反射特征中的一者或兩者。

在某些實施例中，該方法還包括在襯底的該面的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)壓印間隔物和抗反射特征中的一者或兩者。

在一些實施例中，襯底的該面是襯底的第一面，并且該壓印光刻方法還包括在襯底的第二面上壓印具有第一數(shù)量級的尺寸的第三特征。

在某些實施例中，壓印第三特征包括在襯底的第二面上形成衍射光柵或抗反射特征。

在一些實施例中，第二數(shù)量級的尺寸大于第一數(shù)量級的尺寸。

在某些實施例中，第一數(shù)量級的尺寸是納米級，并且第二數(shù)量級的尺寸是微米級。

在一些實施例中，該方法還包括在第一特征的相對兩側(cè)上壓印第二特征。

在某些實施例中，該方法還包括從前身模具(predecessor mold)創(chuàng)建圖案化模板。

在一些實施例中，該方法還包括在前身模具中形成具有第二數(shù)量級的尺寸的深特征。

在某些實施例中，該方法還包括在前身模具中形成具有第一數(shù)量級的尺寸的淺特征。