[發(fā)明專利]在壓印光刻工藝中配置光學層

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780074523.2
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN110023234A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設計）人: V·辛格;M·N·米勒;F·Y·徐
• 申請（專利權）人: 分子印記公司
• 主分類號: B82Y10/00
• 分類號: B82Y10/00;B82Y20/00;B82Y40/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛曉玲;吳鵬

1.一種配置光學層的壓印光刻方法，所述壓印光刻方法包括：

利用圖案化模板在襯底的一面上壓印具有第一數(shù)量級的尺寸的第一特征；同時

利用圖案化模板在所述襯底的所述面上壓印具有第二數(shù)量級的尺寸的第二特征，所述第二特征被確定尺寸且布置成在所述襯底與相鄰表面之間限定一間隙。

2.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，其中，壓印所述第一特征包括在所述襯底的所述面上形成衍射光柵和抗反射特征中的一者或兩者。

3.根據(jù)權利要求2所述的壓印光刻方法，其中，壓印所述第二特征包括在所述襯底的所述面上形成間隔物。

4.根據(jù)權利要求3所述的壓印光刻方法，還包括沿著所述襯底的所述面的外圍邊緣壓印所述間隔物和所述抗反射特征中的一者或兩者。

5.根據(jù)權利要求3所述的壓印光刻方法，還包括在所述襯底的所述面的內部區(qū)域內壓印所述間隔物和所述抗反射特征中的一者或兩者。

6.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，其中，所述襯底的所述面是所述襯底的第一面，所述壓印光刻方法還包括在所述襯底的第二面上壓印具有第一數(shù)量級的尺寸的第三特征。

7.根據(jù)權利要求6所述的壓印光刻方法，其中，壓印所述第三特征包括在所述襯底的第二面上形成衍射光柵或抗反射特征。

8.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，其中，所述第二數(shù)量級的尺寸大于所述第一數(shù)量級的尺寸。

9.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，其中，所述第一數(shù)量級的尺寸是納米級，并且所述第二數(shù)量級的尺寸是微米級。

10.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，還包括在所述第一特征的相對兩側上壓印所述第二特征。

11.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，還包括從前身模具創(chuàng)建所述圖案化模板。

12.根據(jù)權利要求11所述的壓印光刻方法，還包括在所述前身模具中形成具有第二數(shù)量級的尺寸的深特征。

13.根據(jù)權利要求11所述的壓印光刻方法，還包括在所述前身模具中形成具有第一數(shù)量級的尺寸的淺特征。

14.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，其中，所述襯底是第一襯底，并且所述相鄰表面由第二襯底限定。

15.根據(jù)權利要求14所述的壓印光刻方法，還包括使所述第一襯底和第二襯底彼此對準。

16.根據(jù)權利要求14所述的壓印光刻方法，還包括在壓印于所述第一襯底的所述面上的第二特征的頂部上分配粘合劑物質。

17.根據(jù)權利要求16所述的壓印光刻方法，還包括在壓印于所述第一襯底的所述面上的第二特征的頂部上的粘合劑物質處將所述第一襯底和第二襯底彼此附接以形成所述第一襯底與由所述第二襯底限定的相鄰表面之間的間隙。

18.根據(jù)權利要求1所述的壓印光刻方法，其中，所述間隙提供低折射率區(qū)域。

19.根據(jù)權利要求18所述的壓印光刻方法，其中，所述低折射率區(qū)域包括折射率為1的空氣。

20.一種光學層，包括：

襯底；和

利用圖案化模板壓印在所述襯底的一面上的圖案，該圖案包括具有第一數(shù)量級的尺寸的第一特征和具有第二數(shù)量級的尺寸的第二特征，

其中，所述第二特征被確定尺寸且布置成在所述襯底與相鄰表面之間限定一間隙。