[發明專利]閥裝置、使用該閥裝置的流量控制方法和半導體制造方法

有效

• 申請號: 201780073803.1
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN110023659B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 吉田俊英;中田知宏;篠原努;稻田敏之;船越高志;佐藤秀信;湯原知子
• 申請（專利權）人: 株式會社富士金
• 主分類號: F16K1/00
• 分類號: F16K1/00;F16K7/14;F16K31/122;H01L21/205;F16K31/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

提供一種流量控制范圍較大且通用性得到提高的閥裝置。具有：閥體(10)，其劃分出流路(12、13)；隔板(20)，其以能夠開閉流路(12、13)的方式設于閥體(10)；操作構件(40)，其用于操作隔板(20)，被設為能夠在使流路(12、13)開閉的開閉方向(A1、A2)上移動；主致動器(60)，其賦予操作構件(40)以與沿著開閉方向的打開方向(A1)或關閉方向賦予的操作壓力相對應的驅動力；切換機構，其能夠根據操作壓力的大小選擇將限定流路的開度的操作構件(40)的位置切換至彼此不同的第1打開位置(P1)或第2打開位置(P2)；以及調節機構(70、80)，其能夠分別獨立地調節第1打開位置(P1)和第2打開位置(P2)。

技術領域

本發明涉及一種閥裝置、使用該閥裝置的流量控制方法和半導體制造方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，為了將已準確地計量的處理氣體供給至處理室，而使用被稱作集成化氣體系統的流體控制裝置，該集成化氣體系統集成有開閉閥、調節器、質量流量控制器等各種流體控制設備。將該集成化氣體系統收納于盒而成的部件被稱作氣體盒。

通常，將從上述氣體盒輸出的處理氣體直接供給至處理室，但在通過原子層沉積法(ALD：Atomic Layer Deposition法)使膜沉積于基板的處理工藝中，為了穩定地供給處理氣體而將從氣體盒供給來的處理氣體暫時儲存于作為緩沖儲存器的罐，使設于處理室的跟前的閥以高頻率開閉，將來自罐的處理氣體供給向真空氣氛的處理室。另外，作為設于處理室的跟前的閥，參照例如專利文獻1、2。

ALD法是化學氣相沉積法之一，是這樣的方法：在溫度、時間等成膜條件下，使兩種以上的處理氣體一種一種地在基板表面上交替流動，與基板表面上的原子反應而逐層地沉積膜，能夠對單原子層逐層地控制，因此能夠形成均勻的膜厚，對于膜質，也能夠使膜非常致密地沉積。

在基于ALD法的半導體制造工藝中，需要高精密地調節處理氣體的流量，并且由于基板的大口徑化等還需要將處理氣體的流量確保為一定程度。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007－64333號公報

專利文獻2：日本特開2016－121776號公報

發明內容

發明要解決的問題

上述那樣的以往的閥是按照制造工藝的規格而設計的，缺乏通用性。并且，以往的閥以預先設定好的開度進行開閉動作，因此無法在工藝執行中改變閥的開度而將處理氣體的流量控制為不同的值。而且，在以往的閥的情況下，為了更加高精密地實現流量調節，需要縮小流量調節用的螺距，但是需要犧牲流量可調節范圍作為代價。同樣地，在想要擴大流量可調節范圍時，需要犧牲流量調節精度。

本發明的一目的在于提供一種能夠維持流量可調節范圍并且能夠進行高精密的流量調節的閥裝置。

本發明的另一目的在于提供一種能夠維持流量調節精度并且流量可調節范圍較大的閥裝置。

本發明的又另一目的在于提供一種能夠在執行流體控制的過程中改變閥開度的開閉式閥裝置。

本發明的又另一目的在于提供一種流量控制范圍較大且通用性得到提高的閥裝置。

用于解決問題的方案

本發明的閥裝置的特征在于，

該閥裝置具有：

閥體，其劃分出流路；

閥芯，其被設為能夠開閉所述流路；