[發明專利]儲能器件用底涂層和儲能器件電極用底涂箔

有效

• 申請號: 201780073386.0
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN110024192B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 柴野佑紀;畑中辰也;吉本卓司
• 申請（專利權）人: 日產化學株式會社
• 主分類號: H01M4/66
• 分類號: H01M4/66;C01B32/158;C09D5/00;C09D5/24;C09D7/40;C09D201/00;H01G11/28;H01G11/78;H01M50/502;H01M4/02;H01M10/04
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 杜麗利

1.儲能器件電極，其特征在于，是具有儲能器件電極用底涂箔和活性物質層的儲能器件電極，該儲能器件電極用底涂箔具有集電基板和在該集電基板的至少一面形成的儲能器件用底涂層，該活性物質層是在該底涂層的表面的部分形成的活性物質層，

該儲能器件電極在形成有所述底涂層并且沒有形成所述活性物質層的部分與金屬極片被超聲波焊接，

所述底涂層的厚度為1～80nm。

2.根據權利要求1所述的儲能器件電極，其中，所述底涂層的厚度為16～80nm。

3.根據權利要求2所述的儲能器件電極，其中，所述底涂層的厚度為30～80nm。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的儲能器件電極，其中，所述底涂層包含導電材料。

5.根據權利要求4所述的儲能器件電極，其中，所述導電材料包含選自炭黑、科琴黑、乙炔黑、碳晶須、碳納米管、碳纖維、天然石墨、人造石墨、氧化鈦、ITO、氧化釕、鋁和鎳中的1種或2種以上。

6.根據權利要求5所述的儲能器件電極，其中，所述導電材料包含碳納米管。

7.根據權利要求1～3中任一項所述的儲能器件電極，其中，所述底涂層包含分散劑。

8.根據權利要求7所述的儲能器件電極，其中，所述分散劑為三芳基胺系高支化聚合物或在側鏈中含有噁唑啉基的乙烯基系聚合物。

9.根據權利要求1～3中任一項所述的儲能器件電極，其中，所述底涂層包含基體高分子。

10.根據權利要求1～3中任一項所述的儲能器件電極，其中，所述集電基板為鋁箔或銅箔。

11.根據權利要求1～3中任一項所述的儲能器件電極，其中，所述活性物質層是以使所述底涂層的周緣殘留、將其以外的部分全部覆蓋的形態形成的。

12.儲能器件，其具備根據權利要求1～11中任一項所述的儲能器件電極。

13.儲能器件，具有至少一個的具備一個或多個根據權利要求1～11中任一項所述的電極和金屬極片而構成的電極結構體，所述電極的至少一個在形成有所述底涂層并且沒有形成所述活性物質層的部分與所述金屬極片被超聲波焊接。

14.根據權利要求13所述的儲能器件，其中，所述金屬極片含有選自鋁、銅和鎳中的至少一種的金屬而構成。

15.儲能器件的制造方法，是使用了一個或多個根據權利要求1～11中任一項所述的電極的儲能器件的制造方法，其具有如下工序：將所述電極的至少一個在形成有所述底涂層并且未形成所述活性物質層的部分與金屬極片超聲波焊接。