[發(fā)明專利]使用漏斗裝置的單元干擾預(yù)防

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780073080.5
• 申請(qǐng)日: 2017-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110024034B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·V·N·拉馬斯瓦米
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C13/00
• 分類號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明的各種實(shí)施例包括設(shè)備及形成所述設(shè)備的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，示范性設(shè)備包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元。所述存儲(chǔ)器單元的至少一部分具有底部電極，其中每一底部電極與其余所述底部電極至少部分電隔離。至少一個(gè)電阻互連件電耦合兩個(gè)或更多個(gè)所述底部電極。所述電阻互連件經(jīng)布置以從所述兩個(gè)或更多個(gè)底部電極排出至少一部分過(guò)量電荷。揭示額外設(shè)備及形成所述設(shè)備的方法。

優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案主張2016年11月1日申請(qǐng)的序列號(hào)為15/340,682的美國(guó)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述申請(qǐng)案的全文通過(guò)引用的方式并入本文中。

背景技術(shù)

計(jì)算機(jī)及其它電子系統(tǒng)(例如，數(shù)字電視、數(shù)字照相機(jī)及蜂窩式電話)通常具有一或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置以存儲(chǔ)信息。存儲(chǔ)器裝置的尺寸日益減小以實(shí)現(xiàn)更高密度的存儲(chǔ)容量。即使實(shí)現(xiàn)了增加的密度，消費(fèi)者通常還要求存儲(chǔ)器裝置在保持存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器裝置中的數(shù)據(jù)的高速存取及穩(wěn)定性時(shí)使用更少電力。

附圖說(shuō)明

圖1A是根據(jù)實(shí)施例的具有電耦合到底部電極的單個(gè)存取裝置的存儲(chǔ)器裝置的電示意圖；

圖1B是根據(jù)實(shí)施例的具有兩個(gè)存取裝置的存儲(chǔ)器裝置的電示意圖，其中第一存取裝置電耦合到底部電極，且第二存取裝置電耦合到頂部電極；

圖2A是存儲(chǔ)器陣列的一部分的橫截面圖的實(shí)施例，其展示底部節(jié)點(diǎn)漏斗裝置的第一位置；

圖2B及2C展示圖2A的底部節(jié)點(diǎn)漏斗裝置的替代布置的各種實(shí)施例的平面圖；

圖3A是存儲(chǔ)器陣列的一部分的橫截面圖的實(shí)施例，其展示底部節(jié)點(diǎn)漏斗裝置的替代位置；

圖3B及3C展示圖3A的底部節(jié)點(diǎn)漏斗裝置的替代布置的各種實(shí)施例的平面圖；

圖4展示根據(jù)圖2A或圖3A的底部節(jié)點(diǎn)漏斗裝置的存儲(chǔ)器陣列的一部分的橫截面圖的實(shí)施例，其展示能夠耦合到襯底以減少或消除底部電極上的過(guò)量電荷的底部節(jié)點(diǎn)漏斗裝置；

圖5A及5B展示根據(jù)圖2A、3A及4中展示的實(shí)施例而并入有底部節(jié)點(diǎn)漏斗裝置的存儲(chǔ)器陣列的實(shí)施例的平面圖；

圖6是制造根據(jù)圖2A、3A及4中展示的實(shí)施例的裝置的方法的高階流程圖的實(shí)例；及

圖7是系統(tǒng)實(shí)施例的框圖，其包含存儲(chǔ)器裝置。

具體實(shí)施方式

以下描述包含體現(xiàn)發(fā)明主題的說(shuō)明性設(shè)備(電路系統(tǒng)、裝置、結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及其類似者)及方法(例如，過(guò)程、序列、技術(shù)及科技)。在以下描述中，出于解釋的目的，闡述許多特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)主題的各種實(shí)施例的理解。然而，在閱讀本發(fā)明之后，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將明白可在無(wú)這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐主題的各種實(shí)施例。此外，未詳細(xì)展示熟知設(shè)備及方法以免混淆各種實(shí)施例的描述。此外，如所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員所理解，本文中可采用的相對(duì)術(shù)語(yǔ)(例如，頂部、底部、上部、下部等)僅用來(lái)傳達(dá)所揭示的一般概念且應(yīng)不被視為絕對(duì)術(shù)語(yǔ)。舉例來(lái)說(shuō)，“底部”節(jié)點(diǎn)可依據(jù)所采用的實(shí)際制造序列而實(shí)際上形成于存儲(chǔ)器單元上方。

許多(如果非大多數(shù))初級(jí)存儲(chǔ)器單元干擾機(jī)制歸因于單元底部(CB)電極節(jié)點(diǎn)處的電勢(shì)而建立。如下文所更詳細(xì)論述，此干擾機(jī)制適用于鐵電RAM(FERAM)。然而，其它類型的電子裝置也可受益于所揭示的主題。

在實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列中的存儲(chǔ)器單元中的每一者可編程為兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)中的一者以表示單個(gè)位中的二進(jìn)制值“0”或“1”。此單元有時(shí)被稱為單層單元(SLC)。在半導(dǎo)體及相關(guān)技術(shù)中獨(dú)立地已知這些類型的單元上的各種操作。

無(wú)關(guān)于存儲(chǔ)器單元布置，上文所論述的初級(jí)干擾機(jī)制可歸因于不同因素而出現(xiàn)。舉例來(lái)說(shuō)，單元底部節(jié)點(diǎn)上的電荷可歸因于因素(例如板脈沖干擾、存取晶體管泄漏、單元間相互作用或其它因素)而上升。如果存儲(chǔ)器單元中的電介質(zhì)材料明顯漏電，那么可對(duì)單元的狀態(tài)產(chǎn)生不利影響。