[發明專利]使用漏斗裝置的單元干擾預防

有效

• 申請號: 201780073080.5
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN110024034B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: D·V·N·拉馬斯瓦米
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種電子設備，其包括：

多個存儲器單元，所述多個存儲器單元中的每一存儲器單元具有底部電極及存儲器單元材料；及

漏斗裝置，其電耦合到所述多個存儲器單元中的兩個或更多個存儲器單元以從所述多個存儲器單元中的所述兩個或更多個存儲器單元的所述底部電極排出至少一部分過量電荷。

2.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述漏斗裝置包括電阻材料層。

3.根據權利要求2所述的電子設備，其中所述漏斗裝置的電阻可選擇為從0.1MΩ到5MΩ。

4.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述漏斗裝置包括選自包含非晶硅、氧化鈮及氮化硅的材料的至少一個材料。

5.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述漏斗裝置電耦合到所述多個存儲器單元中的所述兩個或更多個存儲器單元的所述底部電極的最上部分。

6.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述漏斗裝置電耦合到所述多個存儲器單元中的所述兩個或更多個存儲器單元的所述底部電極的最下部分。

7.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述漏斗裝置電耦合到所述多個存儲器單元中的所述兩個或更多個存儲器單元的所述底部電極中定位于最上部分與最下部分之間的部分。

8.根據權利要求1所述的電子設備，其中所述多個存儲器單元包括鐵電材料。

9.一種形成電子設備的方法，所述方法包括：

形成多個存儲器單元，所述多個存儲器單元中的每一存儲器單元具有電極；

形成漏斗裝置以電耦合所述多個存儲器單元的所述電極的至少一部分，所述漏斗裝置用于將至少一部分過量電荷從所述電極中的耦合電極排出。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括形成接觸件以將所述漏斗裝置電耦合到放電結構。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括將所述放電結構選擇為襯底。

12.根據權利要求10所述的方法，其中形成多個存儲器單元包括在襯底上方形成多個存儲器單元，所述襯底包括所述放電結構。

13.一種電子設備，其包括：

多個存儲器單元，所述多個存儲器單元中的每一存儲器單元具有底部電極，所述底部電極與所述多個存儲器單元中的其它存儲器單元的所述底部電極至少部分電隔離；及

電阻互連件，其電耦合到所述底部電極中的兩個或更多個底部電極，所述電阻互連件經配置以從所述兩個或更多個底部電極排出至少一部分過量電荷。

14.根據權利要求13所述的電子設備，其中所述電阻互連件包括單個互連線。

15.根據權利要求13所述的電子設備，其中所述電阻互連件包括多個互連線。

16.根據權利要求13所述的電子設備，其中所述電阻互連件包括單層材料。

17.根據權利要求13所述的電子設備，其中所述電阻互連件包括多層材料，通過相應電介質層而使所述多層中的每一層彼此分離。

18.根據權利要求13所述的電子設備，其中所述設備包含多個存取裝置結構，所述多個存取裝置結構中的每一存取裝置結構耦合到所述多個存儲器單元的至少一部分的相應一者。

19.根據權利要求13所述的電子設備，其中所述電阻互連件電耦合到所述多個存儲器單元中的每一存儲器單元。