[發(fā)明專利]低電壓斷路器設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780072938.6
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN110036455B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·阿斯坎
• 申請（專利權(quán)）人: 伊頓智能動力有限公司
• 主分類號: H01H9/54
• 分類號: H01H9/54;H02H3/08
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;李科

本發(fā)明涉及一種低電壓保護(hù)開關(guān)設(shè)備(1)，其包括從低電壓保護(hù)開關(guān)設(shè)備(1)的外導(dǎo)體供電端子(3)到低電壓保護(hù)開關(guān)設(shè)備(1)的外導(dǎo)體負(fù)載端子(4)的至少一個外導(dǎo)體路徑(2)和從低電壓保護(hù)開關(guān)設(shè)備(1)的中性導(dǎo)體端子(6)到低電壓保護(hù)開關(guān)設(shè)備(1)的中性導(dǎo)體負(fù)載端子(7)的中性導(dǎo)體路徑(5)，布置在外導(dǎo)體路徑(2)中的機(jī)械旁路開關(guān)(8)，并聯(lián)連接到旁路開關(guān)(8)的低電壓保護(hù)開關(guān)設(shè)備(1)的第一半導(dǎo)體電路裝置(11)，位于外導(dǎo)體路徑(2)中并且與保護(hù)開關(guān)設(shè)備(1)的電子控制單元(13)連接的電流測量裝置(12)，電子控制單元(13)被設(shè)計成在借助于電流測量裝置(12)檢測到可預(yù)先確定的過電流、特別是短路電流時啟動旁路開關(guān)(8)和第一半導(dǎo)體電路裝置(11)。根據(jù)本發(fā)明，第一機(jī)械斷路開關(guān)(9)與第一半導(dǎo)體電路裝置(11)串聯(lián)地且與旁路開關(guān)(8)并聯(lián)地被布置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的序言的低電壓保護(hù)開關(guān)設(shè)備。

背景技術(shù)

從來自申請人的WO 2015/028634A1知道類似的保護(hù)開關(guān)設(shè)備。當(dāng)保護(hù)開關(guān)設(shè)備被關(guān)掉時，旁路開關(guān)首先被斷開，其中電弧產(chǎn)生，且電流換向到半導(dǎo)體電路裝置上。隨后，以前接通的半導(dǎo)體電路裝置被關(guān)掉，且用于提供電流阻斷的串聯(lián)連接到旁路開關(guān)的斷路觸點(diǎn)被斷開。

這些斷路觸點(diǎn)是必要的，以便經(jīng)由在關(guān)掉狀態(tài)中的半導(dǎo)體電路裝置來防止電流泄漏。這些斷路觸點(diǎn)在接通操作中導(dǎo)致所涉及的開關(guān)設(shè)備的相當(dāng)大的電阻和相應(yīng)地導(dǎo)致開關(guān)設(shè)備的較高功率損耗和內(nèi)熱。除了兩個串聯(lián)開關(guān)觸點(diǎn)對以外，電阻也借助于所需的敷設(shè)電纜和相應(yīng)的觸點(diǎn)而增加。借助于這些電阻，這樣的開關(guān)設(shè)備的標(biāo)稱電流被限制或這在需要高標(biāo)稱電流時導(dǎo)致結(jié)構(gòu)尺寸的增加。因?yàn)殡娏鬟B續(xù)地流經(jīng)所涉及的觸點(diǎn)，這些觸點(diǎn)也必須具有相應(yīng)的高質(zhì)量設(shè)計，其中然而電阻此時不能被避免。在永久操作中的內(nèi)熱確保半導(dǎo)體的減小的壽命。

發(fā)明內(nèi)容

因此本發(fā)明的任務(wù)是提議最初提到的類型的保護(hù)開關(guān)設(shè)備，使用其，所提到的缺點(diǎn)可被避免，其具有低結(jié)構(gòu)尺寸，實(shí)現(xiàn)高標(biāo)稱或連續(xù)電流，具有高切斷能力并在長時間內(nèi)具有高可靠程度。

根據(jù)本發(fā)明，這使用權(quán)利要求1的特征來實(shí)現(xiàn)。

因此，可形成具有低內(nèi)阻的保護(hù)開關(guān)設(shè)備，作為低內(nèi)阻的結(jié)果，甚至在高連續(xù)電流負(fù)載的情況下，保護(hù)開關(guān)設(shè)備的內(nèi)熱也保持低。借助于低內(nèi)熱，保護(hù)開關(guān)設(shè)備的結(jié)構(gòu)尺寸也可保持小。由于保護(hù)開關(guān)設(shè)備的低內(nèi)熱，內(nèi)部溫度可保持低，作為其的結(jié)果，在保護(hù)開關(guān)設(shè)備中的半導(dǎo)體的壽命和可靠性增加了。

從屬權(quán)利要求涉及本發(fā)明的另外的有利實(shí)施方式。

明確地引用權(quán)利要求的用詞，作為其的結(jié)果，權(quán)利要求此時通過引用它們而被引入到描述內(nèi)且是有效的，好像它們被逐字再現(xiàn)一樣。

附圖說明

參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中只有優(yōu)選實(shí)施方式以示例性方式示出。在這里：

圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的第一保護(hù)開關(guān)設(shè)備；

圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的第二保護(hù)開關(guān)設(shè)備；

圖3示出當(dāng)前保護(hù)開關(guān)設(shè)備的開關(guān)路徑的第一實(shí)施方式；

圖4示出當(dāng)前保護(hù)開關(guān)設(shè)備的開關(guān)路徑的第二實(shí)施方式；以及

圖5示出當(dāng)前保護(hù)開關(guān)設(shè)備的開關(guān)路徑的第三實(shí)施方式。

具體實(shí)施方式