[發明專利]低電壓斷路器設備

有效

• 申請號: 201780072938.6
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN110036455B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: K·阿斯坎
• 申請（專利權）人: 伊頓智能動力有限公司
• 主分類號: H01H9/54
• 分類號: H01H9/54;H02H3/08
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;李科

1.一種低電壓保護開關設備(1)，具有從所述低電壓保護開關設備(1)的外導體供電端子(3)到所述低電壓保護開關設備(1)的外導體負載端子(4)的至少一個外導體路徑(2)、以及從所述低電壓保護開關設備(1)的中性導體端子(6)到所述低電壓保護開關設備(1)的中性導體負載端子(7)的中性導體路徑(5)，其中在所述外導體路徑(2)中布置機械旁路開關(8)，其中所述低電壓保護開關設備(1)的第一半導體電路裝置(11)并聯連接到所述旁路開關(8)，其中在所述外導體路徑(2)中布置與所述保護開關設備(1)的電子控制單元(13)連接的電流測量裝置(12)，其中所述電子控制單元(13)被配置成在借助于所述電流測量裝置(12)檢測到可預先確定的過電流時控制所述旁路開關(8)和所述第一半導體電路裝置(11)，其特征在于第一機械斷路開關(9)與所述第一半導體電路裝置(11)串聯地且與所述旁路開關(8)并聯地被布置，在所述外導體路徑(2)中通過電路技術與所述旁路開關(8)串聯地以及與所述第一半導體電路裝置(11)并聯地布置第二半導體電路裝置(14)，所述電子控制單元(13)被配置成在所述電流測量裝置(12)的部分上檢測到短路電流和/或過載電流時首先接通所述第一半導體電路裝置(11)，隨后禁用所述第二半導體電路裝置(14)，然后斷開所述旁路開關(8)，隨后將所述第一半導體電路裝置(11)調節到非導電狀態中，并隨后斷開所述第一機械斷路開關(9)。

2.根據權利要求1所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述可預先確定的過電流是短路電流。

3.根據權利要求1所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述電子控制單元(13)被配置成啟動所述第一機械斷路開關(9)。

4.根據權利要求1所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于在所述中性導體路徑(5)中布置第二機械斷路開關(10)，以及所述電子控制單元(13)被配置成啟動所述第二機械斷路開關(10)。

5.根據權利要求1所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于過電壓抑制器(19)與所述旁路開關(8)和所述第一半導體電路裝置(11)并聯地以及與所述第一機械斷路開關(9)串聯地布置在電路中。

6.根據權利要求5所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述過電壓抑制器(19)是MOS變阻器。

7.根據權利要求1所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述旁路開關(8)是具有多個斷點的開關(27)的形式。

8.根據權利要求7所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于具有多個斷點的所述開關(27)被設計成包括具有至少一個第一可移動觸點和至少一個第二可移動觸點的至少一個可移動開關橋。

9.根據權利要求1所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述第二半導體電路裝置(14)作為雙向開關被配置。

10.根據權利要求9所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述第二半導體電路裝置(14)作為雙向4象限開關被配置。

11.根據權利要求1所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述第二半導體電路裝置(14)被配置成包括低電壓MOSFET。

12.根據權利要求4所述的低電壓保護開關設備(1)，其特征在于所述電子控制單元(13)被配置成當關掉的低電壓保護開關設備(1)被接通時、當所述旁路開關(8)被斷開時以及當所述第一半導體電路裝置和第二半導體電路裝置(11，14)被禁用時首先閉合所述第一機械斷路開關(9)，隨后在至少可預先確定的第一持續時間之后接通所述第一半導體電路裝置(11)，基本上直接在其后閉合所述旁路開關(8)，在可預先確定的第二持續時間之后接通所述第二半導體電路裝置(14)并基本上直接在其后關掉所述第一半導體電路裝置(11)并保持所述第一機械斷路開關(9)閉合。