[發(fā)明專利]彈性波裝置、前端電路以及通信裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201780071709.2
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN110024286A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岸本諭卓;木村哲也
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/64;H03H9/145
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 樸云龍

1.一種彈性波裝置，具備：

壓電基板；以及

IDT電極，設(shè)置在所述壓電基板，其中，

所述IDT電極具有：

匯流條電極，在彈性波傳播方向上延伸；以及

多個電極指，與所述匯流條電極連接，并在所述彈性波傳播方向的正交方向上延伸，

所述壓電基板具有沿著所述彈性波傳播方向形成的至少一個以上的槽，

在所述正交方向上從所述匯流條電極觀察，所述至少一個以上的槽設(shè)置在與形成有所述多個電極指側(cè)相反側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中，

所述至少一個以上的槽由多個槽構(gòu)成，

所述多個槽在所述正交方向上相互對置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述壓電基板具有：

支承基板；

壓電層，位于所述支承基板上；以及

中間層，設(shè)置在所述支承基板與所述壓電層之間，

所述IDT電極設(shè)置在所述壓電層上，

所述至少一個以上的槽從所述壓電層形成至到達所述中間層的至少一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

所述壓電基板具有：

支承基板；

壓電層，位于所述支承基板上；以及

中間層，設(shè)置在所述支承基板與所述壓電層之間，

所述IDT電極設(shè)置在所述壓電層上，

所述至少一個以上的槽未形成在所述壓電層而形成在所述中間層的至少一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的彈性波裝置，其中，

所述中間層具有晶界。

6.根據(jù)權(quán)利要求3～5中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述中間層與所述壓電層相接。

7.根據(jù)權(quán)利要求3～6中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述中間層包含一個或多個SiO₂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求3～6中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

在所述中間層傳播的體波聲速與在所述壓電層傳播的彈性波聲速相比為低速，

在所述支承基板傳播的體波聲速與在所述壓電層傳播的彈性波聲速相比為高速。

9.根據(jù)權(quán)利要求3～6中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述中間層具有：

低聲速膜，傳播的體波聲速與在所述壓電層傳播的彈性波聲速相比為低速；以及

高聲速膜，傳播的體波聲速與在所述壓電層傳播的彈性波聲速相比為高速，

所述低聲速膜設(shè)置在所述壓電層與所述支承基板之間，

所述高聲速膜設(shè)置在所述低聲速膜與所述支承基板之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求3～6中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

在所述中間層中，低聲阻抗層以及聲阻抗比所述低聲阻抗層高的高聲阻抗層各自層疊有至少一層以上，

所述低聲阻抗層的至少一層設(shè)置在比所述高聲阻抗層靠所述壓電層側(cè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8～10中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述至少一個以上的槽從所述壓電層經(jīng)過所述中間層形成至到達所述支承基板的一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

在所述壓電基板設(shè)置有與所述IDT電極連接的輸入輸出布線，

所述至少一個以上的槽設(shè)置在與所述輸入輸出布線不同的位置。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～11中的任一項所述的彈性波裝置，其中，

在所述壓電基板設(shè)置有與所述IDT電極連接的輸入輸出布線，

所述輸入輸出布線繞過所述槽而形成。