[發(fā)明專利]導(dǎo)電性膜和導(dǎo)電性膜的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780070104.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109937458B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 藤平惠;清水誠(chéng)吾;山田俊輔;山木繁;基里達(dá)·古納努魯克薩蓬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01B5/14 | 分類號(hào): | H01B5/14;H01B13/00;B05D7/24;B05D5/12;B32B27/18 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;劉繼富 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電性 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性膜,具有:高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底樹脂層、以及,包含平均直徑為1~100nm且長(zhǎng)寬比的平均為100~2000的金屬納米線、和粘結(jié)劑樹脂且形成在基底樹脂層之上的導(dǎo)電層。導(dǎo)電層的表面電阻值為1.0×102~1.0×106Ω/□且表面電阻值的偏差為15%以下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及導(dǎo)電性膜和導(dǎo)電性膜的制造方法。
背景技術(shù)
作為使用于觸控面板等的透明電極的ITO(氧化銦錫)膜的代替品的高透明性、高導(dǎo)電性薄膜的原料,金屬納米線近年來正受到矚目。這種金屬納米線通常通過在聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇等多元醇存在的情況下加熱金屬化合物來制造(非專利文獻(xiàn)1)。
在專利文獻(xiàn)1~3中公開在聚酯等高分子膜上直接形成了包含顆粒金屬棒涂膜或金屬納米線的導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電體。在這種情況下,通過將分散有顆粒狀金屬棒或金屬納米線的溶液直接涂敷在聚酯等高分子膜上,此后干燥去除溶劑成分從而形成導(dǎo)電層。
此外,在專利文件3中也公開了一種用于形成透明導(dǎo)電膜的墨,其包含銀納米線、水性溶劑、纖維素系粘結(jié)劑樹脂和表面活性劑。在專利文獻(xiàn)4中,公開了作為形成透明導(dǎo)電體的材料等而有效的銀納米線墨。在專利文獻(xiàn)5中公開了一種導(dǎo)電層形成用的組合物,其包含金屬納米線、聚乙烯乙酰胺、水/醇溶劑。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-279434號(hào)公報(bào);
專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-111675號(hào)公報(bào);
專利文獻(xiàn)3:日本特表2009-505358號(hào)公報(bào);
專利文獻(xiàn)4:日本特開2015-174922號(hào)公報(bào);
專利文獻(xiàn)5:日本特開2009-253016號(hào)公報(bào)。
非專利文獻(xiàn)
非專利文獻(xiàn)1:Ducamp-Sanguesa,et al.,J.Solid State Chem.,1992,100,272。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
例如,根據(jù)專利文獻(xiàn)1~3公開的現(xiàn)有技術(shù),可認(rèn)為能夠?qū)?dǎo)電層制成低電阻的導(dǎo)電層。但是,在這樣的現(xiàn)有技術(shù)中,難以降低導(dǎo)電材料的使用量,因此有成本方面、透明性的改善困難或?qū)щ娦燥@現(xiàn)出各向異性的問題。此外,如專利文獻(xiàn)1~5所述的現(xiàn)有技術(shù)那樣,在涂敷包含棒狀金屬顆粒或金屬納米線的稀釋涂敷液的技術(shù)中,棒狀金屬顆粒、金屬納米線在涂敷液中、涂敷后的溶液干燥工序中產(chǎn)生凝結(jié),其結(jié)果是有表面電阻值產(chǎn)生偏差的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制金屬納米線的使用量并且在寬的表面電阻值區(qū)域抑制表面電阻值的偏差的導(dǎo)電性膜。進(jìn)而,提供一種適于生產(chǎn)性優(yōu)異的導(dǎo)電性膜的制造方法。
用于解決課題的方案
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性膜具有:高分子膜、形成在所述高分子膜的至少一面的基底樹脂層、以及形成在所述基底樹脂層之上的導(dǎo)電層,該導(dǎo)電層包含平均直徑為1~100nm且長(zhǎng)寬比的平均為100~2000的金屬納米線、和粘結(jié)劑樹脂,所述導(dǎo)電層的表面電阻值為1.0×102~1.0×106Ω/□且所述表面電阻值的偏差為15%以下。
此外,本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性膜的制造方法具有在高分子膜的至少一面形成基底樹脂層的工序;以及將包含平均直徑為1~100nm且長(zhǎng)寬比的平均為100~2000的金屬納米線、和粘結(jié)劑樹脂、溶劑的金屬納米線墨涂敷在所述基底樹脂層并使其干燥的工序,其中,該基底樹脂層形成于所述高分子膜上。
發(fā)明效果
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