[發明專利]溫度檢測裝置

在審

• 申請號: 201780069985.5
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN109952495A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 莖田啟行;若松俊一;塩原毅;石川貴之
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: G01K7/32
• 分類號: G01K7/32;H03B5/32;H03H9/205
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種溫度檢測裝置，其特征在于包括：

第一振動區域，由分別設于晶體片的一面側及另一面側的第一電極所夾持；

第二振動區域，由分別設于晶體片的一面側及另一面側的第二電極所夾持；

基波振蕩電路，用于使所述第一振動區域或所述第二振動區域以基波振蕩；

高階諧波振蕩電路，用于使所述第一振動區域或所述第二振動區域以高階諧波振蕩；

頻率測量部，測量所述基波振蕩電路或所述高階諧波振蕩電路的振蕩頻率；

開關部，用于選擇將所述第一電極經由所述基波振蕩電路連接于所述頻率測量部的狀態、將所述第一電極經由所述高階諧波振蕩電路連接于所述頻率測量部的狀態、將所述第二電極經由所述基波振蕩電路連接于所述頻率測量部的狀態、及將所述第二電極經由所述高階諧波振蕩電路連接于所述頻率測量部的狀態中的任一個；及

數據處理部，輸出所述開關部的切換信號，基于由所述頻率測量部所測量的測量結果，求出所述第一振動區域及所述第二振動區域中的其中一個振動區域的高階諧波的頻率變化率與所述其中一個振動區域的基波的頻率變化率的差值，并根據所述差值來檢測放置晶體片的環境的溫度，并且基于所述其中一個振動區域的頻率的測量結果來監視所述其中一個振動區域的振蕩是否異常，且

所述數據處理部構成為在判斷為所述其中一個振動區域的振蕩異常時，根據所述第一振動區域及所述第二振動區域中的另一振動區域的高階諧波的頻率變化率與所述另一振動區域的基波的頻率變化率的差值，來檢測放置晶體片的環境的溫度。

2.根據權利要求1所述的溫度檢測裝置，其特征在于，所述高階諧波為三次高階諧波。

3.根據權利要求1所述的溫度檢測裝置，其特征在于，所述其中一個振動區域的振蕩是否異常的監視是基于所述高階諧波的頻率變化率、基波的頻率變化率及所述差值中任一個的移動平均的值而進行。

4.根據權利要求1所述的溫度檢測裝置，其特征在于，所述第一振動區域及所述第二振動區域形成于共同的晶體片。